光浴法培育高质量高氘量DKDP晶体的装置

摘要

本发明公开了一种光浴法培育高质量高氘量DKDP晶体的装置。它解决了目前人工晶体的生成装置温度控制精度低，含氘量易受影响等问题，具有结构简单，使用方便，能有效保证晶体生成所需的氘量，并能提高温控精度等优点。其结构为：它有外壳，其内设有晶体生成容器，所述晶体生成容器为透明容器，在其外壁上布满反射层，在透明容器底部设有光加热装置，该装置与温度控制装置连接。

主权项

1、一种光浴法培育高质量高氘量DKDP晶体的装置，它有外壳(1)，其内设有晶体生成容器，其特征是：所述晶体生成容器为透明容器(2)，在其外壁上设有反射层(3)，其底部则设有光加热装置，该装置与温度控制装置连接。