| 发明名称 | 大面积碳化硅器件及其制造方法 | ||
| 摘要 | 通过在碳化硅晶片的至少一部分上以预定的图形形成多个相同类型的碳化硅器件制造碳化硅器件。在碳化硅晶片的第一表面上碳化硅器件具有相应的第一接触。电测试多个碳化硅器件，以识别多个碳化硅器件中通过电测试的碳化硅器件。然后选择性的互连碳化硅器件中识别出的碳化硅器件的第一接触。还提供具有多个选择性连接的相同类型的碳化硅器件的器件。 | ||
| 申请公布号 | CN1331205C | 申请公布日期 | 2007.08.08 |
| 申请号 | CN02825276.4 | 申请日期 | 2002.09.19 |
| 申请人 | 克里公司 | 发明人 | 柳世衡;A·阿加瓦尔;C·卡佩尔;J·W·帕尔穆尔 |
| 分类号 | H01L21/66(2006.01);H01L21/98(2006.01);H01L25/07(2006.01) | 主分类号 | H01L21/66(2006.01) |
| 代理机构 | 中国专利代理(香港)有限公司 | 代理人 | 张雪梅;梁永 |
| 主权项 | 1.一种碳化硅器件的制造方法，包括：以预定图形在碳化硅晶片的至少一部分上形成相同类型的多个碳化硅器件，该多个碳化硅器件在碳化硅晶片的第一表面上分别具有相应的第一接触；电测试该多个碳化硅器件，以识别该多个碳化硅器件中通过电测试的碳化硅器件；以及通过选择性地施加步进器掩模从而在该多个碳化硅器件中识别出的碳化硅器件之间提供互连，来选择性地互连多个碳化硅器件中识别出的碳化硅器件的第一接触。 | ||
| 地址 | 美国北卡罗来纳州 | ||