发明名称 用于形成多组分介电膜的系统和方法
摘要 本发明提供了用于混合前体的系统和方法,使得在原子层沉积(ALD)过程中的单一脉冲步骤期间,前体混合物共同存在于腔室中以便形成多组分膜。所述前体包括至少一种不同的化学组分,并且这些不同的组分将形成单层以产生多组分膜。在本发明的另一个方面中,提供了具有组成梯度的介电膜。
申请公布号 CN101014730A 申请公布日期 2007.08.08
申请号 CN200580025040.0 申请日期 2005.06.15
申请人 阿维扎技术公司 发明人 Y·仙崎
分类号 C23C16/00(2006.01);C23C16/06(2006.01) 主分类号 C23C16/00(2006.01)
代理机构 中国国际贸易促进委员会专利商标事务所 代理人 李帆
主权项 1.一种在衬底表面上形成多组分膜的方法,其包括步骤:向一个或多个蒸发室中注入所需量的两种或多种前体,每种前体包含至少一种金属或准金属组分;将所述两种或多种前体蒸发到蒸发室中;将所述两种或多种前体输送到处理腔室中,其中所述前体共同存在于处理腔室中,并且配置所述处理腔室以容纳多个衬底;在衬底表面上形成单层,所述单层包含所述金属或准金属组分中的每一种;和清洗所述处理腔室。
地址 美国加利福尼亚