TFT基板及其制造方法以及用于制造TFT基板的掩模

摘要

本发明提供了一种薄膜晶体管基板，制造该薄膜晶体管基板的方法，以及用于制造薄膜晶体管基板的掩模，其中，使薄膜晶体管(TFT)的源电极和漏电极之间的电子移动面积最小，增大电子移动的距离，并且使由栅电极分别与源电极和漏电极一起限定的电容器的大小彼此相等，所以可以使当TFT截止时所产生的截止电流最小化。因此，可以使由于光的电子陷落现象所感应的截止电流最小化。

主权项

1.一种薄膜晶体管基板，其包括：多条栅极线；多条源极线，与所述栅极线交叉；多个像素电极，分别设置在由所述多条栅极线和所述多条源极线限定的多个像素区中；以及多个薄膜晶体管，分别设置在所述多个像素区中，所述多个薄膜晶体管的每一个均包括连接至所述多条栅极线之一的栅电极、连接至所述多条源极线之一的源电极、以及连接至所述多个像素电极之一的漏电极，其中，在设置在所述多个薄膜晶体管每一个的所述源电极和所述漏电极之间的沟道区中露出有源层，并且所述有源层突出到所述沟道区之外，突出长度相当于所述源极线宽度的30％或更小。