| 发明名称 | 半导体器件及其制造方法 | ||
| 摘要 | 本发明涉及半导体器件及其制造方法。本发明提供一种CMOS半导体器件，该器件具有双功函数金属栅极结构，所述结构利用能够实现对PMOS和NMOS器件的独立功函数控制并且显著降低或消除对栅极电介质可靠性的影响的制造技术形成。 | ||
| 申请公布号 | CN101013700A | 申请公布日期 | 2007.08.08 |
| 申请号 | CN200710006116.6 | 申请日期 | 2007.01.31 |
| 申请人 | 三星电子株式会社 | 发明人 | 丁炯硕;李钟镐;韩成基;金柱然;朴廷珉 |
| 分类号 | H01L27/092(2006.01);H01L21/8238(2006.01) | 主分类号 | H01L27/092(2006.01) |
| 代理机构 | 北京市柳沈律师事务所 | 代理人 | 张波 |
| 主权项 | 1.一种半导体器件，包括：半导体衬底，所述半导体衬底具有形成在所述半导体衬底上的双栅极CMOS器件，所述双栅极CMOS器件包括PMOS器件和NMOS器件，其中所述PMOS器件具有第一栅极叠层，所述第一栅极叠层包括：形成在所述半导体衬底上的栅极绝缘体层；形成在所述栅极绝缘体层上的第一导电层；形成在所述第一导电层上的第二导电层；以及形成在所述第二导电层上的第三导电层，其中所述NMOS器件具有第二栅极叠层，所述第二栅极叠层包括：形成在所述半导体衬底上的栅极绝缘体层；形成在所述栅极绝缘体层上的第一导电层；以及形成在所述第一导电层上的第二导电层，其中所述第一和第二栅极叠层的第二导电层由不同的导电材料形成。 | ||
| 地址 | 韩国京畿道 | ||