| 发明名称 | 互连衬底、半导体器件及其制造方法 | ||
| 摘要 | 本发明涉及一种互连衬底，包括互连、绝缘层、非光敏树脂层、光敏树脂层、第一电极焊盘以及第二电极焊盘。非光敏树脂层由非光敏绝缘材料构成。另外，非光敏树脂层具有第一开口。光敏树脂层由光敏绝缘材料构成。另外，光敏树脂层具有第二开口。第二开口的开口面积大于第一开口的开口面积。第一电极焊盘被设置在绝缘层的第一表面侧。第一电极焊盘暴露于第一开口。第二电极焊盘被设置在绝缘层的第二表面侧。第二电极焊盘暴露于第二开口。 | ||
| 申请公布号 | CN101013686A | 申请公布日期 | 2007.08.08 |
| 申请号 | CN200710004790.0 | 申请日期 | 2007.01.30 |
| 申请人 | 恩益禧电子股份有限公司 | 发明人 | 本多广一 |
| 分类号 | H01L23/498(2006.01);H01L23/488(2006.01);H01L21/48(2006.01);H01L21/60(2006.01);H05K1/02(2006.01);H05K1/18(2006.01);H05K3/46(2006.01);H05K3/34(2006.01) | 主分类号 | H01L23/498(2006.01) |
| 代理机构 | 中原信达知识产权代理有限责任公司 | 代理人 | 关兆辉;陆锦华 |
| 主权项 | 1.一种互连衬底，包括：互连；覆盖所述互连的绝缘层；在所述绝缘层的第一表面上配置的且由非光敏绝缘材料构成的第一层，所述第一层具有第一开口；在与所述第一表面相对的所述绝缘层的第二表面上配置的第二层，且所述的第二层由光敏绝缘材料构成，所述第二层具有第二开口，该第二开口具有比所述第一开口的开口面积大的开口面积。在所述绝缘层的所述第一表面侧上配置的且暴露于所述第一开口的第一电极焊盘；以及在所述绝缘层的所述第二表面侧上配置的且暴露于所述第二开口的第二电极焊盘。 | ||
| 地址 | 日本神奈川 | ||