| 发明名称 | 半导体存储装置 | ||
| 摘要 | 公开了一种半导体存储装置，具备：具有多个存储单元的存储单元阵列；把包含“0”和“1”的测试模式数据在多个存储单元中按照每页写入、对多个存储单元进行测试的BIST电路；保持从多个存储单元中按照每页读出的多个数据的读出放大器；一并检测保持在读出放大器中的多个数据，把检测结果输出到上述BIST电路的检测电路。 | ||
| 申请公布号 | CN101013602A | 申请公布日期 | 2007.08.08 |
| 申请号 | CN200710006984.4 | 申请日期 | 2007.01.31 |
| 申请人 | 株式会社东芝 | 发明人 | 杉浦义久;井上敦史 |
| 分类号 | G11C29/12(2006.01);G11C29/18(2006.01) | 主分类号 | G11C29/12(2006.01) |
| 代理机构 | 北京市中咨律师事务所 | 代理人 | 李峥;于静 |
| 主权项 | 1.一种半导体存储装置，具备：具有多个存储单元的存储单元阵列；按照每页把包含“0”和“1”的测试模式数据写入上述多个存储单元，并对上述多个存储单元进行测试的BIST电路；保持从上述多个存储单元按照每页读出的多个数据的读出放大器；一并检测保持在上述读出放大器中的上述多个数据，并把检测结果输出到上述BIST电路的检测电路。 | ||
| 地址 | 日本东京都 | ||