发明名称 |
制造金属氧化物粉末或半导体氧化物粉末,氧化物粉末,固体的方法及其应用 |
摘要 |
本发明涉及一种具有很高导电率的亳微米(纳米)结构混合氧化物的制造方法,例如铟-锡-氧化物,还涉及氧化物粉末,固体以及该固体作为溅射靶的应用。该氧化物是当液体合金在炽热等离子体中被溅射时由合成反应所形成的。合成反应在极高温度下开始,随后是一种受控制的热状态,从而产生晶体机构,该晶体结构没有任何缺陷并且具有高的电荷迁移率。 |
申请公布号 |
CN1330560C |
申请公布日期 |
2007.08.08 |
申请号 |
CN03810549.7 |
申请日期 |
2003.05.07 |
申请人 |
W.C.贺利氏两合有限公司 |
发明人 |
伯纳德·塞罗尔;米歇尔·赛罗尔 |
分类号 |
C01B13/32(2006.01);C01G19/00(2006.01);H01B1/08(2006.01) |
主分类号 |
C01B13/32(2006.01) |
代理机构 |
上海新高专利商标代理有限公司 |
代理人 |
楼仙英 |
主权项 |
1.一种制造金属氧化物粉末或半导体氧化物粉末的方法,其特征在于,它包括动态、连续及直接氧化金属或半导体的材料,该金属或半导体材料在氧等离子体中承担被熔化掉的电极的功能,其中,发出的氧粒子的飞驰时间适于完全的氧化反应并且在完全冷却前没有任何机械接触,并且其中,在氧化过程后接着是一个可控的冷却阶段;所制得的氧化物粉末是纳米粉末,粒子大小在0.5微米以下,该纳米粉末的粒子包括小于100纳米的由锡-铟-氧化物形成的晶粒。 |
地址 |
德国哈瑙市 |