发明名称 |
热绝缘相变存储元件及其制造方法 |
摘要 |
本发明公开了一种热绝缘存储元件,其包括存储单元,该存储单元包括多个电极,其间带有过孔;热绝缘体位于该过孔中并界定空洞延伸在电极表面之间。一种如相变材料等的存储材料,位于该空洞中并电耦接到这些电极以生成存储材料元件。该热绝缘体可帮助降低操作该存储材料元件所需要的电能。电极可接触到栓塞的外表面,以填补位于栓塞表面的不平整处的任何如孔洞型瑕疵等。本发明同时公开一种用于制造该元件并填补栓塞表面不平整处的方法。 |
申请公布号 |
CN101013737A |
申请公布日期 |
2007.08.08 |
申请号 |
CN200610146335.X |
申请日期 |
2006.11.09 |
申请人 |
旺宏电子股份有限公司 |
发明人 |
龙翔澜 |
分类号 |
H01L45/00(2006.01);H01L27/24(2006.01);H01L21/82(2006.01);G11C11/56(2006.01);G11C16/02(2006.01) |
主分类号 |
H01L45/00(2006.01) |
代理机构 |
永新专利商标代理有限公司 |
代理人 |
林锦辉 |
主权项 |
1、一种热绝缘存储元件,包括:存储单元存取层,包括用作终端的多个掺杂区域;以及存储单元层,其用于与该存储单元存取层耦接,并包括存储单元耦接到与所述这些掺杂区域之一电连接的存取导体,及具有接点表面,该存储单元包括:第一与第二电极构件,具有彼此相对且分离的电极表面,该第一电极构件接触到该存取导体的该接点表面;电极间绝缘层,介于该第一与第二电极表面之间,其包括延伸经过介于所述这些电极表面间的该电极间绝缘层的过孔;位于该过孔中的热绝缘体,其位于该过孔中的侧壁以界定绝缘过孔;以及可编程电阻材料,其位于该绝缘过孔中,并电耦接到所述这些电极表面。 |
地址 |
中国台湾新竹科学工业园区 |