| 发明名称 | 半导体层结构以及用于制备半导体层结构的方法 | ||
| 摘要 | 半导体层结构，其包括由半导体材料制备的衬底(1)，衬底(1)上设置了由第二半导体材料制备的层(2)，还有富含杂质原子的区域(3)，该区域(3)被设置在层(2)中，或者在由层(2)与衬底(1)之间的界面以下的特定深度，另外在富含杂质原子的区域(3)内有层(4)，该层(4)包括通过离子注入产生的空腔，此外有涂敷到层(2)上的至少一个外延层(6)，以及在包括空腔的层(4)内包括位错和层错的缺陷区域(5)，该至少一个外延层(6)基本上没有裂缝，并且所述至少一个外延层(6)的残余应力小于或等于1GPa。用于制备半导体层结构的方法，其包括以下步骤：a)提供由半导体材料制备的衬底(1)；b)为了生产半导体层结构的目的，将由第二半导体材料制备的层(2)涂敷到所述的衬底(1)上；c)为了在所述半导体层结构中产生包括空腔的层(4)，将轻气体离子注入所述半导体层结构中；d)通过特定种类的杂质原子使所述的空腔稳定；e)将至少一个外延层(6)涂敷到所述半导体层结构上。 | ||
| 申请公布号 | CN101013667A | 申请公布日期 | 2007.08.08 |
| 申请号 | CN200710007783.6 | 申请日期 | 2007.02.02 |
| 申请人 | 硅电子股份公司 | 发明人 | 布赖恩·墨菲;迈克·黑伯伦;约尔格·林德纳;贝恩德·斯特里茨克尔 |
| 分类号 | H01L21/20(2006.01);H01L21/265(2006.01);H01L23/00(2006.01) | 主分类号 | H01L21/20(2006.01) |
| 代理机构 | 永新专利商标代理有限公司 | 代理人 | 程大军 |
| 主权项 | 1.一种用于制备半导体层结构的方法，其包括以下步骤：a)提供由半导体材料制备的衬底(1)；b)为了生产半导体层结构的目的，将由第二半导体材料制备的层(2)涂敷到所述的衬底(1)上；c)为了在所述半导体层结构中产生包括空腔的层(4)，将轻气体离子注入所述半导体层结构中；d)通过特定种类的杂质原子使所述的空腔稳定；e)将至少一个外延层(6)涂敷到所述半导体层结构上。 | ||
| 地址 | 德国慕尼黑 | ||