测试功率型LED热阻的方法及其专用芯片

摘要

一种测试功率型LED热阻的方法及其专用芯片，其主要特点是用专用芯片来模拟所设计的功率型LED芯片，该专用芯片与所设计的功率型LED芯片具有相同的外延层和电极层结构，在用该专用芯片制成待测试的功率型LED时，也采用与所设计的功率型LED相同或相似的封装工艺。本发明可准确模拟出所设计的功率型LED的热工特性，通过测量、计算得到所设计的功率型LED的热阻，无需采用昂贵的专用测试仪器，降低了功率型LED的研发成本。

主权项

1、一种测试功率型LED热阻的方法，其特征是包括以下步骤：a、制造专用芯片，该芯片具有以下特点：芯片内集成有两个LED单元，两个单元的外延层和电极层结构相同，并且都与所设计的功率型LED外延层和电极层结构相同，其中一个单元的面积与所设计的功率型LED芯片面积接近，作为加热单元，另一单元的面积较小，作为检测单元；b、对该专用芯片进行封装，制成待测试的功率型LED，所采用的封装工艺与所设计的功率型LED相同或相似，使得待测试的功率型LED与所设计的功率型LED，除了芯片结构多了一个检测单元，以及由此而增加的引脚外，在其它方面尽可能相同；c、对该待测试的功率型LED进行测量，首先给检测单元通以一个小的恒定电流，测量此时的正向压降，然后在加热单元上通以恒定的加热电流，加热电流值与所设计的功率型LED工作电流相同，用来模拟所设计的功率型LED芯片工作时的发热状况，达到热平衡后，测量加热单元的正向压降和加热电流，并再次测量检测单元的正向压降；d、根据加热前后检测单元正向压降的变化，结合正向压降与温度的变化关系得到检测单元PN结的温度变化值，再由该温度变化值，根据热阻的定义得到功率型LED的热阻。