发明名称 有机薄膜晶体管及其制造方法
摘要 本发明公开了一种有机薄膜晶体管及其制造方法,其通过降低在有机半导体层和源极/漏极之间的接触面积中产生的接触电阻而提高器件特性。该有机薄膜晶体管包括形成在基板上的栅极;形成在该栅极上的栅绝缘层;与栅极两侧边缘重叠并形成在栅绝缘层上的源极/漏极;形成在包括源极/漏极的栅绝缘层上的有机半导体层;形成在栅绝缘层和源极/漏极之间具有亲水特性的第一粘合层;以及形成在有机半导体层和栅绝缘层之间具有疏水特性的第二粘合层。
申请公布号 CN101013740A 申请公布日期 2007.08.08
申请号 CN200610145257.1 申请日期 2006.11.24
申请人 LG.菲利浦LCD株式会社 发明人 韩敞昱;李在允
分类号 H01L51/05(2006.01);H01L51/40(2006.01) 主分类号 H01L51/05(2006.01)
代理机构 北京律诚同业知识产权代理有限公司 代理人 徐金国;梁挥
主权项 1、一种有机薄膜晶体管,包括:形成在基板上的栅极;形成在该栅极上的栅绝缘层;与栅极两侧边缘重叠并形成在栅绝缘层上的源极/漏极;形成在包括源极/漏极的栅绝缘层上的有机半导体层;形成在栅绝缘层和源极/漏极之间具有亲水特性的第一粘合层;以及形成在有机半导体层和栅绝缘层之间具有疏水特性的第二粘合层。
地址 韩国首尔