半导体集成电路装置及电子装置

摘要

具有截止时的漏电流和导通电阻在实用上都充分小的功率控制用MOS晶体管的半导体集成电路装置及电子装置，该功率控制功能由截止时的漏电流和导通电阻、与在实用上充分的小的功率控制用MOS晶体管一同构成。半导体集成电路装置(300)包括：CMOS逻辑电路(110)、被连接到CMOS逻辑电路(110)的低电位端电源管脚部的第二虚拟电源线V_SS1、以及被连接到第二虚拟电源线V_SS1和低电位端电源线V_SS之间的功率控制用NchMOS晶体管(NT2)，功率控制用NchMOS晶体管(NT2)的衬底和栅极进行电连接。栅极和衬底例如通过利用了耗尽型的NchMOS晶体管构成的源极跟随器的限流器(330)而连接就可以。

主权项

1、一种半导体集成电路装置，包括：逻辑电路，由多个NchMIS晶体管和多个PchMIS晶体管构成；第一虚拟电源线，其连接到所述逻辑电路的高电位端电源管脚部；第二虚拟电源线，其连接到所述逻辑电路的低电位端电源管脚部；以及第一NchMIS晶体管，具有小于所述逻辑电路的MIS晶体管的阈值电压的绝对值的阈值电压，或者为耗尽型，在所述第一NchMIS晶体管的漏极上连接所述第二虚拟电源线，同时其源极上连接低电位端电源线，对栅极施加电位比所述低电位端电源线低的电压作为低电平，施加电位比所述低电位端电源线高的电压作为高电平。