一种合成两种不同形状碳化硅纳米线的方法

摘要

本发明公开了一种合成两种不同形状碳化硅纳米线的方法，将Si粉与多壁碳纳米管作为原材料置于氧化铝坩埚里，然后将坩埚放置于真空高温烧结炉里，以10～30℃/min的升温速率到1410～1600℃，保温时间3～9个小时，整个装置在Ar的气氛下进行；反应结束后，关掉加热电源，冷却水一直循环直至整个装置完全冷却，最后大量的灰白色的产物在氧化铝坩埚内；取出产物后用体积比为1∶2的氢氟酸与硝酸混合液，除去多余未反应的硅得到碳化硅纳米线粉体；此外，在坩埚的盖上也存在葫芦状纳米碳化硅。本发明产品的质量较高，无层错等缺陷，且碳化硅纳米线很直，直径分布比较均匀；制备了少量葫芦状纳米碳化硅；反应设备简单，方法简单，工艺易于操作。

主权项

1、一种合成两种不同形状碳化硅纳米线的方法，其特征在于该方法的步骤如下：Si粉与多壁碳纳米管作为起始的原材料置于氧化铝坩埚里，盖上盖子，然后将坩埚放置于真空高温烧结炉里，以10～30℃/min的升温速率一直升温到1410～1600℃，保温时间3～9个小时，整个装置在Ar的气氛下进行，以避免任何的氧化行为发生；反应结束后，关掉加热电源，冷却水一直循环直至整个装置完全冷却，最后发现大量的灰白色的产物在氧化铝坩埚内；取出产物后用体积比为1∶2的氢氟酸与硝酸混合液，除去多余未反应的硅得到碳化硅纳米线粉体；此外，在氧化铝坩埚的盖上也存在一薄层葫芦状纳米碳化硅。