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发明名称 METHOD TO ENHANCE CMOS TRANSISTOR PERFORMANCE BY INDUCING STRAIN IN THE GATE AND CHANNEL
摘要
申请公布号 EP1815506(A2) 申请公布日期 2007.08.08
申请号 EP20050820872 申请日期 2005.11.10
申请人 INTERNATIONAL BUSINESS MACHINES CORPORATION 发明人 YANG, HAINING, S.
分类号 H01L21/8238;H01L21/336 主分类号 H01L21/8238
代理机构 代理人
主权项
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