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发明名称 Verfahren zur Herstellung eines Hochspannungs-Hochgeschwindigkeits-MOS-Transistors durch Ionen-Implantation
摘要
申请公布号 DE10297535(B4) 申请公布日期 2007.08.02
申请号 DE20021097535 申请日期 2002.12.05
申请人 INFINEON TECHNOLOGIES AG 发明人 OLOFSSON, PETER
分类号 H01L21/335;H01L21/265;H01L21/336;H01L21/761;H01L21/8238;H01L29/10;H01L29/78 主分类号 H01L21/335
代理机构 代理人
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