高线性度增强型异质场效电晶体

摘要

一种高线性度增强型异质场效电晶体，系藉由线性变化砷化铟镓成份之通道结构设计，并整合考量元件临界电压值对于工作区域之调变影响，预期不仅将能直接提供传统空乏型操作元件之互补式结构选择、扩增闸极电压摆幅(gate voltage swing)范围，同时将能大幅提升元件之电流驱动能力、转换互导增益、线性放大与高速操作等优异特性。尤其增强型操作元件具有低静态功率消耗特性，本发明亦传承化合物半导体高速元件优异之高截止频率工作特性，可应用于微波推挽式放大电路设计。