| 摘要 |
一种用于离子植入制程的污染减轻或表面改变系统包含：一气体源；一控制器；一阀门；以及一处理反应室。该气体源会传送一气体给该阀门，该气体系大气气体或反应气体而且会受控于该控制器。该阀门系被设置在该处理反应室之上或是其附近，并且会以可控制的方式来调整被传送至该处理反应室之气体的流速及/或组成。该处理反应室会固持一目标装置(例如一目标晶圆)，并且会让该气体与一离子束进行反应而减轻该目标晶圆的污染及/或改变该处理环境既有的性质，或是改变该目标装置以变更其物理或化学状态或特性。该控制器会根据存在于该离子束内的污染物、或是根据污染物不存在的情形、以及总压或分压分析来选择与调整该气体的组成以及流速。 |
