一种堆叠薄膜电晶体非挥发性记忆元件及其制造方法

摘要

本发明系揭露一种堆叠非挥发性记忆元件，其包括复数层彼此堆叠之位元线层与字元线层。位元线层包括复数条位元线，这些位元线可以利用先进的制造技术，而有效率地且经济地制造此元件。此元件可组态为适用于反及闸(NAND)操作中。