半导体元件制程中用以对称沈积一金属层之方法

摘要

本发明系有关于一种用以对称地沈积一金属层于一金属层曝光对准键之上的方法，其包括使用金属有机化学气相沈积制程(MOCVD)以形成此金属层。俟此对称金属层形成之后，一金属层曝光对准键可被准确地侦测，且可改善此金属层曝光对准键覆盖结构之位移现象。