| 摘要 |
[课题]提供一种半导体装置，提升集极射极电流特性，缩短下降时间，进而提升对寄生闸流体的闩锁耐受度。[解决手段]半导体装置，包含横向的单位半导体元件，其包括：第1导电型的半导体基板；第2导电型的半导体区域，被设置在半导体基板上；第1导电型的集极层，被设置在半导体区域中；无终端的第1导电型的基极层，被设置在半导体区域中以从集极层隔着间隔并包围集极层；及第2导电型的第1射极层，被设置在基极层中；其利用被形成在基极层的通道区域控制第1射极层与集极层间的载子的移动。第1射极层系由沿着基极层被设置的复数单位射极层构成。 |
