| 主权项 |
1.一种具有复合绝缘层之半导体封装结构(二),其 包括有: 一介电层; 一金属层组,其具有分别设置于该介电层上下表面 之一第一金属层及一第二金属层; 一支撑元件组,其具有一设置于该第一金属层之第 一支撑元件及一设置于该第二金属层之第二支撑 元件;以及 一电子元件,其设置于该第一支撑元件上,并且该 电子元件与该第一支撑元件产生电性连接; 其中该介电层及该金属层组系形成一复合绝缘层 。 2.如申请专利范围第1项所述之具有复合绝缘层之 半导体封装结构(二),更包括一设置于该第二支撑 元件上之封装胶体,该封装胶体系封装该介电层、 第一金属层、第二金属层、第一支撑元件及电子 元件,并且一体地固定在该第二支撑元件上,该第 一支撑元件系凸出于该封装胶体外。 3.如申请专利范围第1项所述之具有复合绝缘层之 半导体封装结构(二),其中该第一及第二金属层皆 由铜或铜合金材料组成。 4.如申请专利范围第1项所述之具有复合绝缘层之 半导体封装结构(二),其中该第一及第二金属层皆 由一铝或铝合金材料。 5.如申请专利范围第1项所述之具有复合绝缘层之 半导体封装结构(二),其中在该第一金属层与该第 一支撑元件间系设置一焊料接合层,在该第二金属 层与该第二支撑元件间设置另一焊料接合层。 6.如申请专利范围第1项所述之具有复合绝缘层之 半导体封装结构(二),其中该第一支撑元件与该电 子元件间系设置一连接件,该连接件系电性连接该 第一支撑元件与该电子元件。 7.如申请专利范围第1项所述之具有复合绝缘层之 半导体封装结构(二),其中第一支撑元件系为金属 导架,该第二支撑元件系为导热座。 8.如申请专利范围第1项所述之具有复合绝缘层之 半导体封装结构(二),其中该电子元件系为一IC晶 片。 9.一种具有复合绝缘层之半导体封装结构(二),其 包括: 一复合绝缘层,其具有一第一表面及一第二表面; 一支撑元件组,其具有一设置于该第一表面之第一 支撑元件及一设置于该第二表面之第二支撑元件; 以及 一电子元件,其设置于该第一支撑元件上。 10.如申请专利范围第9项所述之具有复合绝缘层之 半导体封装结构(二),其中该复合绝缘层系具有一 介电层、分别设置于该介电层两相对表面上之一 第一金属层及一第二金属层,该第一及第二金属层 皆由一铜或铜合金材料组成,该第一支撑元件系设 置于该第一金属层表面上,该第二支撑元件系设置 于该第二金属层表面上。 11.如申请专利范围第10项所述之具有复合绝缘层 之半导体封装结构(二),更进一步包括一封装胶体, 该封装胶体系设置于该第二支撑上,并且封装该介 电层、第一金属层、第二金属层、第一支撑元件 及电子元件,使得该介电层、第一金属层、第二金 属层、第一支撑元件及电子元件系一体地固定在 该第二支撑元件上,并且该第一支撑元件之一端系 凸出该封装胶体外。 12.如申请专利范围第10项所述之具有复合绝缘层 之半导体封装结构(二),其中该第一及第二金属层 皆为一铜或铜合金材料。 13.如申请专利范围第10项所述之具有复合绝缘层 之半导体封装结构(二),其中该第一及第二金属层 皆为一铝或铝合金材料。 14.如申请专利范围第10项所述之具有复合绝缘层 之半导体封装结构(二),其中在该第一金属层与该 第一支撑元件间设置一焊料接合层,在该第二金属 层与该第二支撑元件间设置另一焊料接合层。 15.如申请专利范围第9项所述之具有复合绝缘层之 半导体封装结构(二),其中该第一支撑元件与该电 子元件间系设置一连接件,该连接件系电性连接该 第一支撑元件与该电子元件。 16.如申请专利范围第9项所述之具有复合绝缘层之 半导体封装结构(二),其中第一支撑元件系为金属 导架,该第二支撑元件系为导热座。 17.如申请专利范围第9项所述之具有复合绝缘层之 半导体封装结构(二),其中该电子元件系为一IC晶 片。 图式简单说明: 第一A图系本创作具有复合绝缘层之半导体封装结 构(二)中,在晶圆片上形成介电层与金属层之示意 图; 第一B图系本创作具有复合绝缘层之半导体封装结 构(二)中,介电层与金属层组接合形成一复合绝缘 层之剖视图; 第一C图系本创作具有复合绝缘层之半导体封装结 构(二)中,介电层、金属层组及电子元件接合之剖 视图; 第二图系本创作具有复合绝缘层之半导体封装结 构(二)中,二支撑元件组合前之示意图; 第三图系本创作具有复合绝缘层之半导体封装结 构(二)中,复合绝缘层设置于一支撑元件之示意图; 第四图系本创作具有复合绝缘层之半导体封装结 构(二)中,复合绝缘层及二支撑元件之接合示意图; 第五图系本创作具有复合绝缘层之半导体封装结 构(二)中,复合绝缘层及支撑元件之接脚之接合示 意图; 第六图系本创作具有复合绝缘层之半导体封装结 构(二)中,复合绝缘层及二支撑元件于完成接合后, 利用封装胶体封装之示意图; 第七图系本创作具有复合绝缘层之半导体封装结 构(二)中,完成后的整体封装架构之示意图;以及 第八图系本创作具有复合绝缘层之半导体封装结 构(二)中,整体封装结构之剖视图。 |
