| 主权项 |
1.一种适用于覆盖一半导体制程腔之一内壁的至 少一部分之衬垫,该衬垫包括: 一圆柱状主体,具有一上缘及一下缘; 一凸缘,自该圆柱状主体之该上缘而径向地往外延 伸; 一凹部,系形成于该圆柱状主体之一外表面;以及 一狭缝,系设置于该凹部中,并贯穿该圆柱状主体 。 2.如申请专利范围第1项所述之衬垫,其更包括: 一突唇,系由该圆柱状主体之一内表面而径向地往 内延伸。 3.如申请专利范围第2项所述之衬垫,其中该突唇更 包括: 一上表面,该上表面内形成一O形圈(O-ring)沟槽。 4.如申请专利范围第1项所述之衬垫,其中该凹部更 包括: 多个固定孔。 5.如申请专利范围第1项所述之衬垫,其中该圆柱状 主体之该下缘更包括: 一设置成与一第二衬垫组配之接合特征结构( feature)。 6.如申请专利范围第5项所述之衬垫,其中该接合特 征结构更包括: 一槽口接合(rabbet joint)的一半。 7.如申请专利范围第1项所述之衬垫,其更包括: 一孔洞,系贯穿该圆柱状主体。 8.如申请专利范围第7项所述之衬垫,其中该圆柱状 主体更包括: 一凹处,而该孔洞设置于该凹处内。 9.如申请专利范围第1项所述之衬垫,其中该圆柱状 主体更包括铝。 10.如申请专利范围第9项所述之衬垫,其中该衬垫 系涂覆有氧化钇(Y2O3)。 11.如申请专利范围第1项所述之衬垫,其中该圆柱 状主体之一内表面涂覆有氧化钇(Y2O3)。 12.如申请专利范围第1项所述之衬垫,其中该圆柱 状主体系为下列至少其中之一者:由钇或是钇之一 氧化物制成,或是涂覆有钇或是钇之该氧化物。 13.如申请专利范围第1项所述之衬垫,其中该凸缘 系为多角形。 14.如申请专利范围第13项所述之衬垫,其中该多角 形凸缘更包括: 截去棱角之表徵(chamfered indices)。 15.一种适用于覆盖一半导体制程腔之一内壁的至 少一部分之衬垫,该衬垫包括: 一圆柱状主体,具有一上缘及一下缘,其中该圆柱 状主体系为下列至少其中之一者:由钇或是钇之一 氧化物制成,或是涂覆有钇或是钇之该氧化物; 一凸缘,自该圆柱状主体之该上缘而径向地往外延 伸; 一接合特征结构(feature),系形成于该下缘,并设置 成可与一第二衬垫组配; 一凹部,形成于该圆柱状主体之一外表面;以及 一狭缝,系设置于该凹部中,并贯穿该圆柱状主体 。 16.如申请专利范围第15项所述之衬垫,其更包括: 一突唇,系由该圆柱状主体之一内表面而径向地往 内延伸,并包括一上表面,该上表面内形成一O形圈 沟槽。 17.如申请专利范围第15项所述之衬垫,其中该凹部 更包括: 多个固定孔。 18.如申请专利范围第15项所述之衬垫,其中该凸缘 系为多角形,且包括截去棱角之表徵(chamfered indices )。 19.如申请专利范围第15项所述之衬垫,其中该接合 特征结构更包括一槽口接合(rabbet joint)的一半。 20.一种适用于覆盖一半导体制程腔之一内壁的至 少一部分之衬垫,该衬垫包括: 一圆柱状铝主体,具有一上缘、一下缘、一外壁以 及一内壁; 一涂层,该涂层至少为钇或钇之一氧化物其中之一 ,并设置于该圆柱状铝主体之该内壁上; 一凸缘,自该圆柱状铝主体之该上缘而径向地往外 延伸; 一阶形之接合特征结构,系形成于该下缘内,并设 置成可与一第二衬垫组配; 一突唇,系由该圆柱状铝主体之一内表面而径向地 往内延伸,并包括一上表面,而该上表面内形成一O 形圈沟槽; 一凹部,形成于该圆柱状铝主体之一外表面,并具 有多个固定孔; 一凹处,系形成于该圆柱状铝主体之该外壁内; 一孔洞,系设置于该凹处内,并贯穿该圆柱状铝主 体;以及 一狭缝,系设置于该凹部中,并贯穿该圆柱状铝主 体。 图式简单说明: 第1图,绘示本创作之制程腔的一实施例之剖面图 。 第2图,绘示喷气头的一实施例之剖面图。 第3图,绘示第2图的喷气头之插塞的一实施例剖面 图。 第4图,绘示第2图的喷气头之剖面图。 第5图,绘示第2图的喷气头之另一剖面图。 第6图,沿着第5图的剖面线6-6所绘示之喷气头的部 分剖面图。 第7图,绘示喷气头的另一实施例之剖面图。 第8图,绘示气体控制之一实施例的流程图,用以说 明第1图之制程腔中气体的流动路线以及控制。 第9~10图,绘示衬垫之一实施例的透视图及部分剖 面图。 第11图,绘示基板支撑组件支撑一遮盖环的实施例 之部分剖面图。 第12图,绘示基板支撑组件之剖面图,用以说明升降 销导引组件之一实施例。 |
