| 主权项 |
1.一种应变晶质层,具有一拉伸应变矽锗部份与一 压缩应变矽锗部份,其中该拉伸应变矽锗部份与该 压缩应变矽锗部份系为一共平面空间关系,而且该 压缩应变矽锗具有锗浓度高于该拉伸应变矽锗,而 且在该压缩应变矽锗中的锗浓度系高于90%。 2.如申请专利范围第1项所述之应变晶质层,其中该 拉伸应变矽锗具有最高达大约15%的锗浓度。 3.如申请专利范围第2项所述之应变晶质层,其中该 拉伸应变矽锗具有实质为0%的锗浓度。 4.如申请专利范围第1项所述之应变晶质层,其中该 压缩应变矽锗具有实质为0%的矽浓度。 5.如申请专利范围第1项所述之应变晶质层,其中该 拉伸应变矽锗具有最高达大约1%的碳浓度。 6.如申请专利范围第1项所述之应变晶质层,其中该 压缩应变矽锗具有最高达大约1%的碳浓度。 7.如申请专利范围第1项所述之应变晶质层,其中该 压缩应变矽锗实质占有复数个岛区域。 8.如申请专利范围第1项所述之应变晶质层,其中该 拉伸应变矽锗实质占有复数个岛区域。 9.如申请专利范围第1项所述之应变晶质层,其中第 一晶质绝缘层系磊晶地结合于该应变晶质层顶部, 而且其中该第一晶质绝缘层介于大约0.3 nm与1.5nm 厚。 10.如申请专利范围第9项所述之应变晶质层,其中 该第一晶质绝缘层实质由二氧化矽组成。 11.如申请专利范围第9项所述之应变晶质层,其中 该第一晶质绝缘层实质由氮氧化矽组成。 12.如申请专利范围第1项所述之应变晶质层,进一 步包含一绝缘沟渠,其中该绝缘沟渠分隔该拉伸应 变矽锗部分与该压缩应变矽锗部分。 13.如申请专利范围第1项所述之应变晶质层,其中 该应变晶质层系为一叠层结构的部分,其中该叠层 结构包含: 一基板; 一矽锗松弛缓冲层,配置于该基板顶部;以及 该应变晶质层,磊晶地结合在该矽锗松弛缓冲层顶 部,其中该拉伸应变矽锗具有锗浓度系低于该矽锗 松弛缓冲层之锗浓度,而且该压缩应变矽锗具有锗 浓度系高于该矽锗松弛缓冲层之锗浓度。 14.如申请专利范围第1项所述之应变晶质层,其中 该应变晶质层系为一叠层结构的部分,其中该叠层 结构包含: 一矽基板; 一支撑结构,磊晶地结合在该矽基板顶部上; 一矽锗松弛缓冲层,磊晶地结合在该支撑结构的顶 部上;以及 该应变晶质层,磊晶地结合在该矽锗松弛缓冲层顶 部上,其中该拉伸应变矽锗具有锗浓度系低于该矽 锗松弛缓冲层之锗浓度,而且该压缩应变矽锗具有 锗浓度系高于该矽锗松弛缓冲层之锗浓度。 15.如申请专利范围第1项所述之应变晶质层,其中 该应变晶质层系为一叠层结构的部分,其中该叠层 结构包含: 一基板; 一绝缘分配层,配置于该基板顶部上; 一矽锗松弛缓冲层,配置于该绝缘分配层顶部上; 以及 该应变晶质层,磊晶地结合于该矽锗松弛缓冲层顶 部上,其中该拉伸应变矽锗具有锗浓度系低于该矽 锗松弛缓冲层之锗浓度,而且该压缩应变矽锗具有 锗浓度高于该矽锗松弛缓冲层之锗浓度。 16.如申请专利范围第15项所述之应变晶质层,其中 该应变晶质层介于大约在0.1nm与100nm厚。 17.如申请专利范围第16项所述之应变晶质层,其中 该应变晶质层介于大约在0.5nm与50nm厚。 18.如申请专利范围第15项所述之应变晶质层,其中 该矽锗松弛缓冲层介于大约在0.25nm与100nm厚。 19.如申请专利范围第18项所述之应变晶质层,其中 该矽锗松弛缓冲层介于大约在5nm与60nm厚。 20.如申请专利范围第15项所述之应变晶质层,其中 该绝缘分配层中的一绝缘材料系选自由氧化矽、 氮化矽、氧化铝、铌酸锂(lithium-niobate)、〝低-介 电常数(low-k)〞材料、〝高-介电常数(high-k)〞材料 以及其组合所组成的群组中。 21.如申请专利范围第20项所述之应变晶质层,其中 该绝缘分配层包含一大约在0.3nm与1.5nm厚之第二晶 质二氧化矽层,其中该第二晶质二氧化矽层系磊晶 地结合到该矽锗松弛缓冲层。 22.如申请专利范围第15项所述之应变晶质层,其中 该拉伸应变矽锗寄存着至少一电子传导型装置,而 且其中该压缩应变矽锗寄存着至少一电洞传导型 装置。 23.如申请专利范围第22项所述之应变晶质层,其中 该至少一电子传导型装置与该至少一电洞传导型 装置具有一装置设计,系最佳化供装置操作于大约 250K与70K之间。 24.如申请专利范围第22项所述之应变晶质层,其中 该应变晶质层寄存着至少一双极装置。 25.一种叠层结构,包含: 一矽基板; 一绝缘分配层,配置于该基板顶部上,其中该绝缘 分配层包含至少一金属面; 一矽锗松弛缓冲层,配置于该绝缘分配层顶部上; 以及 一应变晶质层,磊晶地结合在该矽锗松弛缓冲层顶 部上,该应变晶质层具有一拉伸应变矽锗部分与一 压缩应变矽锗部分,其中该拉伸应变矽锗具有锗浓 度低于该矽锗松弛缓冲层之锗浓度,而且该压缩应 变矽锗具有锗浓度高于该矽锗松弛缓冲层之锗浓 度。 26.如申请专利范围第25项所述之叠层结构,其中该 拉伸应变矽锗具有最高达大约15%的锗浓度。 27.如申请专利范围第25项所述之叠层结构,其中该 压缩应变矽锗具有最高达大约70%的矽浓度。 28.如申请专利范围第26项所述之叠层结构,其中该 拉伸应变矽锗具有实质为0%的锗浓度。 29.如申请专利范围第27项所述之叠层结构,其中该 压缩应变矽锗具有实质为0%的矽浓度。 30.如申请专利范围第25项所述之叠层结构,其中该 拉伸应变矽锗具有最高达大约1%的碳浓度。 31.如申请专利范围第25项所述之叠层结构,其中该 压缩应变矽锗具有最高达大约1%的碳浓度。 32.如申请专利范围第25项所述之叠层结构,其中该 压缩应变矽锗具有一渐变的锗浓度。 33.如申请专利范围第25项所述之叠层结构,其中该 应变晶质层介于大约在0.1nm与100nm厚。 34.如申请专利范围第33项所述之叠层结构,其中该 应变晶质层介于大约在0.5nm与50nm厚。 35.如申请专利范围第25项所述之叠层结构,其中该 矽锗松弛缓冲层介于大约在0.25nm与100nm厚。 36.如申请专利范围第35项所述之叠层结构,其中该 矽锗松弛缓冲层介于大约在5nm与60nm厚。 37.如申请专利范围第25项所述之叠层结构,其中该 压缩应变矽锗实质占有复数个岛区域。 38.如申请专利范围第37项所述之叠层结构,进一步 包含一约0.3nm至3nm厚的矽锗第一晶种层具有最高 达25%的锗浓度,其中该矽锗第一晶种层系磊晶地插 入于该矽锗松弛缓冲层与该压缩应变矽锗之间。 39.如申请专利范围第38项所述之叠层结构,其中该 矽锗第一晶种层具有最高达大约1%的碳浓度。 40.如申请专利范围第25项所述之叠层结构,其中该 拉伸应变矽锗实质占有复数个岛区域。 41.如申请专利范围第40项所述之叠层结构,进一步 包含一约0.3nm至3nm厚的矽锗第二晶种层具有最高 达25%的锗浓度,其中该矽锗第二晶种层系磊晶地插 入于该矽锗松弛缓冲层与该拉伸应变矽锗之间。 42.如申请专利范围第41项所述之叠层结构,其中该 矽锗第二晶种层具有最高达大约1%的碳浓度。 43.如申请专利范围第25项所述之叠层结构,进一步 包含一绝缘沟渠,其中该绝缘沟渠分隔该拉伸应变 矽锗部分与该压缩应变矽锗部分。 44.如申请专利范围第25项所述之叠层结构,其中该 至少一金属面系予以图案化。 45.如申请专利范围第25项所述之叠层结构,其中该 至少一传导面藉着至少一介层自该绝缘分配层连 接出。 46.如申请专利范围第25项所述之叠层结构,其中该 绝缘分配层中的绝缘材料是选自由氧化矽、氮化 矽、氧化铝、铌酸锂、〝低-k〞材料、〝高-k〞材 料以及其组合物所组成的群组中。 47.如申请专利范围第25项所述之叠层结构,其中该 应变晶质层寄存复数个装置,其中该复数个装置包 含电子传导型装置于该拉伸应变矽锗部分中,而且 该复数个装置包含电洞传导型装置于该压缩应变 矽锗部分中。 48.如申请专利范围第47项所述之叠层结构,其中该 复数个电子传导型装置的至少其中一个是N型金氧 半导体装置(NMOS device),而且其中该复数个电洞传 导型装置的至少其中一个是P型金氧半导体装置( PMOS device)。 49.如申请专利范围第47项所述之叠层结构,其中该 复数个电子传导型装置的至少其中一个是N型-调 掺场效电晶体(N-MODFET)装置。 50.如申请专利范围第47项所述之叠层结构,其中该 复数个电洞传导型装置的至少其中一个是P型-调 掺场效电晶体(P-MODFET)装置。 51.如申请专利范围第47项所述之叠层结构,其中该 复数个电子传导型装置与该复数个电洞传导型装 置具有一装置设计,系最佳化供装置操作于大约250 K与70K之间。 52.如申请专利范围第47项所述之叠层结构,其中该 应变晶质层寄存着至少一双极装置。 53.如申请专利范围第47项所述之叠层结构,其中该 应变晶质层寄存着至少一数位电路。 54.如申请专利范围第47项所述之叠层结构,其中该 应变晶质层寄存着至少一类比电路。 55.如申请专利范围第25项所述之叠层结构,其中该 拉伸应变矽锗进一步寄存着至少一光学装置。 56.如申请专利范围第25项所述之叠层结构,其中该 压缩应变矽锗冰一步寄存着至少一光学装置。 57.如申请专利范围第56项所述之叠层结构,其中该 至少一光学装置的至少其中之一系为光检测器。 58.如申请专利范围第25项所述之叠层结构,其中至 少一晶质化合物半导体层系选自由GaAs、InAs、InP 、InSb、SiC、三元(ternaries)与四元(quaternaries)所组 成的群组,且磊晶地结合在该应变晶质层顶部。 59.如申请专利范围第58项所述之叠层结构,其中该 至少一晶质化合物半导体层寄存着至少一光学装 置。 60.如申请专利范围第59项所述之叠层结构,其中该 至少一光学装置包含至少一光检测器。 61.如申请专利范围第59项所述之叠层结构,其中该 至少一光学装置包含至少一雷射。 62.一种产生具有一拉伸应变矽锗层部分与一压缩 应变矽锗层部分之一应变晶质层的方法,包含步骤 : 将该应变晶质层磊晶地结合在一矽锗松弛缓冲层 上,其中该拉伸应变矽锗具有锗浓度系低于该矽锗 松弛缓冲层之锗浓度,该压缩应变矽锗具有锗浓度 系高于该矽锗松弛缓冲层之锗浓度,而且在该压缩 应变矽锗中的锗浓度系高于90%。 63.如申请专利范围第62项所述之方法,其中在磊晶 地结合该拉伸应变矽锗层的步骤中,一最高达大约 15%的锗浓度系选择用于该拉伸应变矽锗层。 64.如申请专利范围第62项所述之方法,其中在磊晶 地结合该压缩应变矽锗层的步骤中,一最高达大约 70%的矽浓度系选择用于该压缩应变矽锗层。 65.如申请专利范围第63项所述之方法,其中在磊晶 地结合该拉伸应变矽锗层的步骤中,一实质为0%的 锗浓度系选择用于该拉伸应变矽锗层。 66.如申请专利范围第64项所述之方法,其中在磊晶 地结合该压缩应变矽锗层的步骤中,实质为0%的矽 浓度系选择用于该压缩应变矽锗层。 67.如申请专利范围第62项所述之方法,其中在磊晶 地结合该拉伸应变矽锗层的步骤中,一最高达大约 1%的碳浓度系选择用于该拉伸应变矽锗层。 68.如申请专利范围第62项所述之方法,其中在磊晶 地结合该压缩应变矽锗层的步骤中,一最高达大约 1%的碳浓度系选择用于该压缩应变矽锗层。 69.如申请专利范围第62项所述之方法,其中于该磊 晶地结合该压缩应变矽锗层的步骤,进一步包含使 该压缩应变矽锗层之锗浓度渐变的过程。 70.如申请专利范围第62项所述之方法,其中该应变 晶质层系选择介于大约0.1nm与100nm之间厚。 71.如申请专利范围第70项所述之方法,其中该应变 晶质层系选择介于大约0.5nm与50nm之间厚。 72.如申请专利范围第62项所述之方法,其中该磊晶 地结合的步骤进一步包含以下步骤: 磊晶地成长该拉伸应变矽锗层于该矽储松弛缓冲 层上; 将该压缩应变矽锗层将占有之该矽锗松弛缓冲层 部分上的该拉伸应变矽锗移除,其中形成至少一开 口于该拉伸应变矽锗层中;以及 磊晶地成长该压缩应变矽锗层于该至少一开口中 。 73.如申请专利范围第72项所述之方法,进一步包含 以下步骤: 磊晶地沈积一矽锗第一晶种层具有最高达25%的锗 浓度,其中此步骤系于磊晶地成长该压缩应变矽锗 之该步骤之前进行。 74.如申请专利范围第73项所述之方法,其中该矽锗 第一晶种层系选择以具有最高达大约1%的碳浓度 。 75.如申请专利范围第73项所述之方法,其中该矽锗 第一晶种层系选择以介于大约0.3nm与3nm之间厚。 76.如申请专利范围第72项所述之方法,进一步包含 以下步骤: 建构一绝缘介电带,其中该带覆盖该拉伸应变矽锗 的一侧壁表面,其中该侧壁表面已经于该移除该拉 伸应变矽锗步骤的期间成为暴露出,藉此该绝缘介 电带将变成分隔该拉伸应变矽锗部分与该压缩应 变矽锗部分的一绝缘沟渠。 77.如申请专利范围第62项所述之方法,其中该磊晶 地结合步骤进一步包含以下步骤: 磊晶地成长该压缩应变矽锗层于该矽锗松弛缓冲 层上; 将该拉伸应变矽锗层将占有之该矽锗松弛缓冲层 部分上的该压缩应变矽锗移除,其中形成至少一开 口于该压缩应变矽锗层中;以及 磊晶地成长该拉伸应变矽锗层于该至少一开口中 。 78.如申请专利范围第77项所述之方法,进一步包含 以下步骤: 磊晶地沈积一矽锗第二晶种层具有最高达25%的锗 浓度,其中此步骤系于磊晶地成长该压缩应变矽锗 之该步骤之前进行。 79.如申请专利范围第78项所述之方法,其中该矽锗 第二晶种层系选择以具有最高达大约1%的碳浓度 。 80.如申请专利范围第78项所述之方法,其中该矽锗 第二晶种层系选择以介于大约0.3nm与3nm之间厚。 81.如申请专利范围第77项所述之方法,进一步包含 以下步骤: 建构一绝缘介电带,其中该带覆盖该压缩应变矽锗 的一侧壁表面,其中该侧壁表面已经于移除该压缩 应变矽锗之该步骤的期间成为暴露出,藉此该绝缘 介电带将变成分隔该压缩应变矽锗部分与该拉伸 应变矽锗部分的一绝缘沟渠。 82.如申请专利范围第62项所述之方法,进一步包含 制造该矽锗松弛缓冲层的步骤。 83.如申请专利范围第82项所述之方法,其中该制造 该矽锗松弛缓冲层的步骤进一步包含以下步骤: 磊晶地沈积一支撑结构于一矽基板上;以及 磊晶地成长该矽锗松弛缓冲层的一第一部份在该 支撑结构上。 84.如申请专利范围第83项所述之方法,其中该制造 该矽锗松弛缓冲层的步骤进一步包含将该矽锗松 弛缓冲层之该第一部份平滑化到表面粗糙度低于 大约0.5nmRMS的步骤。 85.如申请专利范围第84项所述之方法,其中平滑化 该矽锗松弛缓冲层之该第一部份的步骤系藉由使 用气体群离子束制程来实施。 86.如申请专利范围第84项所述之方法,其中该制造 该矽锗松弛缓冲层的步骤进一步包含使用该矽锗 松弛缓冲层之该平滑的第一部份作为该矽锗松弛 缓冲层的步骤。 87.如申请专利范围第84项所述之方法,其中该制造 该矽锗松弛缓冲层的步骤包含以下步骤: 磊晶地沈积一薄矽层于该矽锗松弛缓冲层的该平 滑的第一部份上;以及 磊晶地沈积该矽锗松弛缓冲层的一第二部份于该 薄矽层上。 88.如申请专利范围第87项所述之方法,其中该薄矽 层系选择以介于大约1nm与15nm之间厚。 89.如申请专利范围第87项所述之方法,其中该矽锗 松弛缓冲层之该第二部份系选择以介于大约0.25nm 与100nm之间厚。 90.如申请专利范围第89项所述之方法,其中该矽锗 松弛缓冲层之该第二部份系选择以介于大约5nm与 60nm之间厚。 91.如申请专利范围第87项所述之方法,其中该制造 该矽锗松弛缓冲层的步骤进一步包含以下步骤: 将该矽锗松弛缓冲层之该第二部份结合在一新基 板上; 进行该矽锗松弛缓冲层之该第二部份与该薄矽层 的一层转移; 以一第一选择性蚀刻,蚀刻该矽锗松弛缓冲层之该 第一部份的残留物,系应用该薄矽层作为蚀刻终止 层;以及 以一第二选择性蚀刻,蚀刻该薄矽层,系应用该矽 锗松弛缓冲层之该第二部份作为蚀刻终止层,藉此 暴露该矽锗松弛缓冲层之该第二部份,并且使用该 矽锗松弛缓冲层之该第二部份作为该矽锗松弛缓 冲层。 92.如申请专利范围第91项所述之方法,其中在该结 合步骤中,该新基板系选择为一矽基板。 93.如申请专利范围第87项所述之方法,其中该制造 该矽锗松弛缓冲层的步骤进一步包含以下步骤: 将该矽锗松弛缓冲层之该第二部份固定到一新基 板,而一绝缘分配层则插入于该矽锗松弛缓冲层之 该第二部份与该新基板之间; 进行该矽锗松弛缓冲层之该第二部份与该薄矽层 的一层转移; 以一第一选择性蚀刻,蚀刻该矽锗松弛缓冲层之该 第一部份的残蜂物,系应用该薄矽层作为蚀刻终止 层;以及 以一第二选择性蚀刻,蚀刻该薄矽层,系应用该矽 锗松弛缓冲层之该第二部份作为蚀刻终止层,藉此 而暴露该矽锗松弛缓冲层之该第二部份,并且使用 该矽锗松弛缓冲层之该第二部份作为该矽锗松弛 缓冲层。 94.如申请专利范围第93项所述之方法,其中在该固 定步骤中,该新基板系选择为一矽基板。 95.如申请专利范围第93项所述之方法,其中在该固 定步骤中,该绝缘分配层中的一绝缘材料系选自由 氧化矽、氮化矽、氧化铝、铌酸锂、〝低-k〞材 料、〝高-k〞材料及其组合所组成的群组中。 96.如申请专利范围第93项所述之方法,其中该固定 步骤进一步包含将至少一传导面封于该绝缘分配 层的步骤。 97.如申请专利范围第96项所述之方法,进一步包含 图案化该至少一传导面之步骤。 98.如申请专利范围第96项所述之方法,进一步包含 藉由至少一介层,从该绝缘分配层连接出该至少一 传导面的步骤。 99.如申请专利范围第93项所述之方法,其中该固定 步骤进一步包含以下步骤: 磊晶地成长一大约0.3nm与1.5nm之间厚的第二晶质二 氧化矽层在该矽锗松弛缓冲层之该第二部份上;以 及 沈积一第一绝缘层于该第二晶质二氧化矽层上,其 中该插入的绝缘分配层包含该第二晶质二氧化矽 层与该第一绝缘层。 100.一种产生分成两互补区域之应变晶质层的方法 ,一第一区域实质地由一拉伸应变矽锗层组成,一 第二区域实质地由一压缩应变矽锗层组成,包含以 下步骤: 制造该拉伸应变矽锗层; 制造该压缩应变矽锗层,其中该压缩应变矽锗层的 厚度与该拉伸应变矽锗层的厚度实质相等; 将对应该第二区域之处的该拉伸应变矽锗移除; 将对应该第一区域之处的该压缩应变矽锗层移除; 以及 于联锁该互补之第一与第二区域时,结合该拉伸应 变矽锗层与该压缩应变矽锗层,藉此该拉伸应变矽 锗层与该压缩应变矽锗层形成该应变晶质层系分 成两互补区域;以及 将覆盖该应变晶质层的一过量材料移除,藉此该过 量材料因为该结合步骤而产生。 101.如申请专利范围第100项所述之方法,进一步包 含以下步骤: 在结合到该应变晶质层之一侧壁表面上的该步骤 之前,建构至少一绝缘介电带,其中该侧壁表面已 经于该移除步骤后暴露出,藉此该绝缘介电带能促 进该结合步骤中的对准,并且将变成分隔该压缩应 变矽锗层与该拉伸应变矽锗层的一绝缘沟渠。 102.一种高性能处理器,包含: 至少一晶片,其中该晶片包含一应变晶质层,该应 变晶质层具有一拉伸应变矽锗部份与一压缩应变 矽锗部份,其中该拉伸应变矽锗部份与该压缩应变 矽锗部份系为一共平面空间关系,而且该压缩应变 矽锗具有锗浓度高于该拉伸应变矽锗,而且在该压 缩应变矽锗中的锗浓度系高于90%; 复数个装置于该应变晶质层中,其中该复数个装置 包含在该拉伸应变矽锗部份的电子传导型装置,而 且该复数个装置包含在该压缩应变矽锗部份的电 洞传导型装置。 103.如申请专利范围第102项所述之高性能处理器, 其中该处理器是一数位处理器。 104.如申请专利范围第102项所述之高性能处理器, 其中该处理器包含至少一类比电路。 105.一种制造一高性能处理器的方法,包含步骤: 使用至少一晶片,其中该至少一晶片包含一应变晶 质层具有拉伸应变矽锗部份与压缩应变矽锗部份, 其中该拉伸应变矽锗部份与该压缩应变矽锗部份 系为一共平面空间关系,而且复数个装置系寄存于 该应变晶质层中,而且其中该复数个装置包含在该 拉伸应变矽锗部份的电子传导型装置,而且其中该 复数个装置包含在该压缩应变矽锗部份的电洞传 导型装置。 106.如申请专利范围第105项所述之制造处理器的方 法,进一步包含使用一装置设计系最佳化供装置操 作于大约250K与70K间的步骤,以用于该电子传导型 与该电洞传导型装置。 107.如申请专利范围第105项所述之制造处理器的方 法,进一步包含根据该处理器的一设计,布线该电 子传导型装置与该电洞传导型装置的步骤。 108.如申请专利范围第105项所述之制造处理器的方 法,其中该电子传导型装置包含N型金氧化半导体 装置,而且该电洞传导型装置包含P型金氧化半导 体装置。 109.如申请专利范围第108项所述之制造处理器的方 法,其中处理N型金氧化半导体装置的步骤进一步 包含磊晶地成长一第一晶质绝缘层于该拉伸应变 矽锗上的步骤,其中该N型金氧化半导体装置的闸 极绝缘体包含该第一晶质绝缘层。 110.如申请专利范围第108项所述之制造处理器的方 法,其中处理P型金氧化半导体装置的步骤包含磊 晶地成长一第一晶质绝缘层在该压缩应变矽锗上 的步骤,其中该P型金氧化半导体装置的闸极绝缘 体包含该第一晶质绝缘层。 111.如申请专利范围第105项所述之制造处理器的方 法,其中该电子传导型装置包含N型-调掺场效电晶 体装置。 112.如申请专利范围第105项所述之制造处理器的方 法,其中该电洞传导型装置包含P型-调掺场效电晶 体装置。 113.如申请专利范围第105项所述之制造处理器的方 法,进一步包含将至少一光学装置并入于该至少一 晶片的步骤。 114.如申请专利范围第113项所述之制造处理器的方 法,其中该至少一光学装置包含至少一光检测器。 115.如申请专利范围第113项所述之制造处理器的方 法,其中该至少一光学装置包含至少一雷射。 图式简单说明: 第1图显示具有一拉伸应变矽锗部份与压缩应变矽 锗部份之晶质层的上视图; 第2图显示叠层结构的截面图,其包含具有拉伸应 变矽锗部份与压缩应变矽锗部份的晶质层; 第3图显示配置在晶质层顶部之磊晶晶质绝缘层的 截面图,该晶质层具有一拉伸应变矽锗部份与一压 缩应变矽锗部份; 第4图显示寄存在晶质层不同部份之NMOS与PMOS装置 的截面图; 第5图显示寄存在晶质层不同部份之NMODFET与PMODFET 装置的截面图; 第6图显示寄存在晶质层不同部份之光学装置的截 面示意图; 第7图显示配置在具有拉伸应变矽锗部份与压缩应 变矽锗部份之晶质层顶部之磊晶晶质化合物半导 体层的截面图; 第8图显示寄存在绝缘分配层顶部之晶质层不同部 份之双极装置的截面图; 第9图显示制造具有拉伸应变矽锗部份与压缩应变 矽锗部份之晶质层的方法步骤; 第10图显示制造具有拉伸应变矽锗部份与压缩应 变矽锗部份之晶质层的选替方法步骤; 第11图显示制造矽锗松弛缓冲层之方法中的平滑 化步骤; 第12图显示在制造矽锗松弛缓冲层之方法中的进 一步层沈积步骤; 第13图显示一层转移步骤; 第14图显示藉着选择性蚀刻转移层结构的矽锗层 移除步骤; 第15图显示藉由选择性蚀刻转移层结构的矽层移 除步骤; 第16图显示选替性方法中的中枢步骤,其用来制造 具有拉伸应变矽锗部份与压缩应变矽锗部份的晶 质层;以及 第17图示意地显示具有一晶片的一处理器。该晶 片包含装置与电路系寄存在具有拉伸应变矽锗部 份与压缩应变矽锗部份之晶质层。 |
