发明名称 半导体记忆体之自动预充电控制电路及其方法
摘要 一种半导体记忆体中的自动预充电控制电路及其方法,其中自动预充电起始点可改变。自动预充电起始点可在至少一控制讯号之后改变。自动预充电起始点可依照频率及/或延迟资讯改变。自动预充电起始点可在包括时钟频率资讯的至少一控制讯号之后改变。自动预充电起始点可以依照从一模态暂存器设定命令所接收的一延迟讯号而改变。自动预充电控制电路可能包括一控制电路,用以接收一写入讯号、一时钟讯号、和至少一控制讯号,该控制讯号至少包括时钟频率资讯和延迟资讯中之一资讯,该控制电路并用以输出至少一路径讯号;一自动预充电脉冲讯号驱动器,用以接收至少一路径讯号、写入讯号、和一致能讯号,并产生一自动预充电脉冲讯号,该自动预充电脉冲讯号识别一自动预充电运作的起始点;和一自动预充电模态致能电路,用以接收时钟讯号、一自动预充电命令、一启动讯号、和自动预充电脉冲讯号,并产生致能讯号。
申请公布号 TWI284905 申请公布日期 2007.08.01
申请号 TW092106938 申请日期 2003.03.27
申请人 韩商三星电子股份有限公司 发明人 朴祥均;李镐哲
分类号 G11C7/12(2006.01) 主分类号 G11C7/12(2006.01)
代理机构 代理人 陈长文 台北市松山区敦化北路201号7楼
主权项 1.一种自动预充电控制电路,用以在包括时钟频率 资讯的至少一控制讯号之后,改变一半导体装置的 写入恢复时间。 2.如申请专利范围第1项之自动预充电控制电路,该 自动预充电控制电路接收一时钟讯号、一写入讯 号、一自动预充电命令、一启动讯号、和至少一 控制讯号,并产生一自动预充电脉冲讯号,该自动 预充电脉冲讯号识别一自动预充电运作的起始点 。 3.如申请专利范围第2项之自动预充电控制电路,该 自动预充电控制电路包括一控制电路,用以接收写 入讯号和控制讯号,和用以依照包括时钟频率资讯 的至少一控制讯号选择自动预充电运作的起始点 。 4.如申请专利范围第2项之自动预充电控制电路,包 括一自动预充电致能电路,用以接收自动预充电脉 冲讯号和用以取消启动讯号,藉此开始该自动预充 电运作。 5.如申请专利范围第2项之自动预充电控制电路,其 中该至少一控制讯号是从一外部供应的模态暂存 器设定(MRS)命令产生的。 6.如申请专利范围第5项之自动预充电控制电路,其 中MRS命令进一步包括模态资讯、成组类型资讯、 和成组长度资讯中之至少一资讯。 7.一种自动预充电控制电路,用以在至少一控制讯 号之后改变一半导体装置的写入恢复时间。 8.一种自动预充电控制电路,用以在至少一控制讯 号之后改变一半导体装置的写入恢复时间之时钟 周期的数目。 9.如申请专利范围第7项之自动预充电控制电路,该 至少一控制讯号包括延迟资讯。 10.如申请专利范围第9项之自动预充电控制电路, 其中写入恢复时间与延迟资讯成比例。 11.如申请专利范围第9项之自动预充电控制电路, 该自动预充电控制电路接收一时钟讯号、一写入 讯号、一自动预充电命令、一启动讯号、和该至 少一控制讯号,并产生一自动预充电脉冲讯号,该 自动预充电脉冲讯号识别一自动预充电运作的起 始点。 12.如申请专利范围第9项之自动预充电控制电路, 该自动预充电控制电路包括一控制电路,用以接收 写入讯号和控制讯号,和用以依照包括延迟资讯的 至少一控制讯号选择自动预充电运作的起始点。 13.如申请专利范围第9项之自动预充电控制电路, 该自动预充电控制电路包括一自动预充电致能电 路,用以接收自动预充电脉冲讯号和用以取消启动 讯号,藉此开始该自动预充电运作。 14.如申请专利范围第9项之自动预充电控制电路, 其中延迟资讯是CAS延迟资讯。 15.如申请专利范围第9项之自动预充电控制电路, 其中该至少一控制讯号是由一外部供应的模态暂 存器设定(MRS)命令产生的。 16.如申请专利范围第15项之自动预充电控制电路, 其中MRS命令进一步包括模态资讯、成组类型资讯 、和成组长度资讯中之至少一资讯。 17.一种自动预充电控制电路,包含: 一控制电路,用以接收一写入讯号、一时钟讯号、 和包括时钟频率资讯和延迟资讯中之至少一资讯 的至少一控制讯号,和用以输出至少一路径讯号; 一自动预充电脉冲讯号驱动器,用以接收该至少一 路径讯号、写入讯号、和一致能讯号,和用以产生 一自动预充电脉冲讯号,该自动预充电脉冲讯号识 别一自动预充电运作的起始点;和 一自动预充电模态致能电路,用以接收时钟讯号、 一自动预充电命令、一启动讯号、和自动预充电 脉冲讯号,和用以产生致能讯号。 18.如申请专利范围第17项之自动预充电控制电路, 该自动预充电模态致能电路进一步包含: 一回馈讯号产生器,用以接收自动预充电脉冲讯号 和输出一回馈讯号以取消启动讯号,藉此开始该自 动预充电运作, 一自动预充电运作选择器,用以在时钟讯号、写入 讯号、和启动讯号之后转送自动预充电命令, 该自动预充电致能电路用来接收启动讯号和自动 预充电命令,并转送致能讯号到该自动预充电脉冲 讯号驱动器。 19.如申请专利范围第17项之自动预充电控制电路, 该控制电路包括, 一第一开关的一第一路径,接收写入讯号且由时钟 讯号触发,和用以产生一第一路径讯号的一第一闩 锁电路,和 一第二路径,包括该第一开关和该第一路径的第一 闩锁电路;且进一步包括由时钟讯号所触发的一第 二开关;输出一闩锁讯号的一第二闩锁电路;和一 逻辑电路,接收闩锁讯号和至少一控制讯号,并产 生一第二路径讯号。 20.如申请专利范围第17项之自动预充电控制电路, 该控制电路包括, 至少一第一路径,包括由时钟讯号所触发的一开关 ,和一闩锁电路,用以产生一第一路径讯号,和 一第二路径,包括该开关和该第一路径的闩锁电路 ;且进一步包括一逻辑电路,接收来自闩锁电路的 一讯号和至少一控制讯号;和一延迟电路,用以延 迟第一路径讯号和产生一第二路径讯号。 21.如申请专利范围第20项之自动预充电控制电路, 该延迟电路进一步包括,一反相器、一电阻器、和 一电容器,用以输出第二路径讯号。 22.如申请专利范围第17项之自动预充电控制电路, 该控制电路包括, 串联的一串级电路,每一电路接收写入讯号、时钟 讯号、和至少一控制讯号,和依至少一控制讯号而 定延迟写入讯号一不同的时间量,并输出至少一路 径讯号。 23.如申请专利范围第22项之自动预充电控制电路, 该串级电路的一第一电路包括一反及闸、一反相 器、一开关、一闩锁电路、和一开关,用以产生并 输出一路径讯号到一后续电路, 该串级电路的后续电路包括一反及闸、一反及闸 、一开关、一闩锁电路、和一开关,并输出一路径 讯号到一后续电路,和 该串级电路的一最后电路包括一反及闸、一反及 闸、一开关、和一闩锁电路。 24.一种执行一自动预充电运作之方法,包含在包括 时钟频率资讯的至少一控制讯号之后,改变一半导 体装置的写入恢复时间。 25.如申请专利范围第24项之方法,该方法进一步包 含接收一时钟讯号、一写入讯号、一自动预充电 命令、一启动讯号、和至少一控制讯号,和产生一 自动预充电脉冲讯号,该自动预充电脉冲讯号识别 一自动预充电运作的起始点。 26.如申请专利范围第24项之方法,该方法进一步包 含接收写入讯号和控制讯号,和依照包括时钟频率 资讯的至少一控制讯号,选择自动预充电运作的起 始点。 27.如申请专利范围第24项之方法,该方法进一步包 含接收自动预充电脉冲讯号和取消启动讯号,藉此 开始该自动预充电运作。 28.如申请专利范围第24项之方法,其中至少一控制 讯号是从一外部供应的模态暂存器设定(MRS)命令 产生的。 29.如申请专利范围第28项之方法,其中MRS命令进一 步包括模态资讯、成组类型资讯、和成组长度资 讯中之至少一资讯。 30.一种执行一自动预充电运作之方法,包含在至少 一控制讯号之后,改变一半导体装置的写入恢复时 间。 31.一种执行一自动预充电运作之方法,包含在至少 一控制讯号之后,改变一半导体装置的写入恢复时 间之时钟周期的数目。 32.如申请专利范围第30项之方法,其中至少一控制 讯号包括延迟资讯。 33.如申请专利范围第32项之方法,其中写入恢复时 间与延迟资讯成比例。 34.如申请专利范围第32项之方法,该方法进一步包 含接收一时钟讯号、一写入讯号、一自动预充电 命令、一启动讯号、和该至少一控制讯号,和产生 一自动预充电脉冲讯号,该自动预充电脉冲讯号识 别一自动预充电运作的起始点。 35.如申请专利范围第32项之方法,该方法进一步包 含接收写入讯号和控制讯号,和依照包括延迟资讯 的至少一控制讯号选择自动预充电运作的起始点 。 36.如申请专利范围第32项之方法,该方法进一步包 含接收自动预充电脉冲讯号、和取消启动讯号,藉 此开始该自动预充电运作。 37.如申请专利范围第32项之方法,其中延迟资讯是 行-位址-信号(CAS)延迟资讯。 38.如申请专利范围第32项之方法,其中该至少一控 制讯号是由一外部供应的模态暂存器设定(MRS)命 令产生的。 39.如申请专利范围第38项之方法,其中MRS命令进一 步包括模态资讯、成组类型资讯、和成组长度资 讯中之至少一资讯。 40.一种执行一自动预充电运作之方法,包含: 一自动预充电控制步骤,用以接收一写入讯号、一 时钟讯号、和包括时钟频率资讯和延迟资讯中之 至少一资讯的至少一控制讯号,和用以输出至少一 路径讯号; 一自动预充电脉冲讯号驱动步骤,用以接收至少一 路径讯号、写入讯号、和一致能讯号,和用以产生 一自动预充电脉冲讯号,该自动预充电脉冲讯号识 别一自动预充电运作的起始点;和 一自动预充电模态致能步骤,用以接收时钟讯号、 一自动预充电命令、一启动讯号、和自动预充电 脉冲讯号,和用以产生致能讯号。 41.如申请专利范围第40项之方法,该自动预充电模 态致能步骤进一步包含: 一回馈讯号产生子步骤,用以接收自动预充电脉冲 讯号,和用以输出一回馈讯号来取消启动讯号,藉 此开始该自动预充电运作, 一自动预充电运作选择子步骤,用以在时钟讯号、 写入讯号、和启动讯号之后,转送自动预充电命令 , 一自动预充电致能子步骤,用以接收启动讯号和自 动预充电命令,和转送致能讯号到该自动预充电脉 冲讯号驱动步骤。 42.如申请专利范围第40项之方法,该自动预充电控 制步骤包括, 藉由接收和处理写入讯号、由时钟讯号触发、通 过一第一开关和一第一闩锁电路,产生一第一路径 讯号,和 藉由接收和处理写入讯号、由时钟讯号触发、通 过第一开关、第一闩锁电路、一第二开关、一第 二闩锁电路、和一逻辑电路,产生一第二路径讯号 。 43.如申请专利范围第40项之方法,该自动预充电控 制步骤包括, 藉由接收和处理写入讯号、由时钟讯号触发、通 过一开关和一闩锁电路,产生一第一路径讯号,和 藉由接收和处理写入讯号、由时钟讯号触发、通 过开关、闩锁电路产生一第二路径讯号,且一逻辑 电路接收来自闩锁电路的一讯号和至少一控制讯 号,和一延迟电路用来延迟第一路径讯号和用来产 生第二路径讯号。 44.如申请专利范围第43项之方法,延迟电路包括一 反相器、一电阻器、和一电容器,用以输出第二路 径讯号。 45.如申请专利范围第40项之方法,该自动预充电控 制步骤包括,在串联的一串级电路之每一电路中, 接收写入讯号、时钟讯号、和至少一控制讯号,和 依至少一控制讯号而定延迟串级电路之每一电路 中的写入讯号一不同的时间量,并输出至少一路径 讯号。 46.如申请专利范围第45项之方法,该串级电路的一 第一电路包括一反及闸、一反相器、一开关、一 闩锁电路、和一开关,用以产生并输出一路径讯号 到一后续电路,该串级电路的后续电路包括一反及 闸、一反及闸、一开关、一闩锁电路、和一开关, 并输出一路径讯号到一后续电路,和 该串级电路的一最后电路包括一反及闸、一反及 闸、一开关、和一闩锁电路。 图式简单说明: 图1是说明一传统同步动态随机存取记忆体(SDRAM) 中一预充电运作的方块图。 图2是说明图1的传统SDRAM之运作的时序图。 图3A是说明在高频时图1的方块图之传统预充电运 作的第二时序图。 图3B是说明在低频时图1的方块图之传统预充电运 作的第三时序图。 图3C是说明在高频时图1的方块图之传统自动预充 电运作的第四时序图。 图3D是说明在低频时图1的方块图之传统自动预充 电运作的第五时序图。 图4是说明本发明的一可仿效具体实施例中的SDRAM 之方块图。 图5A是说明本发明的一可仿效具体实施例中图4的 方块图之自动预充电运作的时序图。 图5B是说明本发明的一可仿效具体实施例中在低 频时图4的方块图之自动预充电运作的时序图。 图6是说明本发明的一可仿效具体实施例中图4的 自动预充电控制电路之电路图。 图7是表示本发明另一可仿效具体实施例中一自动 预充电运作的时序图。 图8是说明本发明另一可仿效具体实施例中图4的 自动预充电控制电路的电路图。 图9说明本发明一可仿效具体实施例中一延迟单元 的电路图。 图10是说明在本发明一可仿效具体实施例中,图6和 8的自动预充电控制电路之第一路径和第二路径上 的一种变化之电路图。
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