| 主权项 |
1.一种电子元件热传导之方法,其方法为: 其主要系将做为电子元件散热基座之热传导效率 较快之高传导金属材料进行电解氧化处理,而于该 高传导金属材料之表面形成一氧化绝缘介质层,该 氧化绝缘介质层同时具耐高温及耐高电压之特性, 再于该氧化绝缘介质层上特定位置部依所需制作 一层做为通电用之导电金属膜,而可连接导线通电 给设于该高传导金属材料上之一个或一个以上之 电子元件; 藉上述方法,当该电子元件导电后产生热能时,能 迅速传达到该高传导金属材料上,而将电子元件所 产生之热能快速带走,而达极佳之热交换目的者。 2.依申请专利范围第1项所述电子元件热传导之方 法,其制作氧化绝缘层程序系包括如下步骤: (a)先将高传导金属材料进行脱脂处理; (b)再进行化学表面研磨处理; (c)水洗; (d)中和处理; (e)电解氧化处理; (f)第二次水洗; (g)封口处理; (h)热水浸泡; (i)表面硬化形成一氧化绝缘介质层; (j)进行第二次化学表面研磨处理; (k)第三次水洗; (l)烘乾。 3.依申请专利范围第1项所述电子元件热传导之方 法,其中该导电金属膜若采用电镀方式形成时,则 需再将完成氧化绝缘介质层之高传导金属材料进 行浸泡导电液、电镀导电膜、水洗及烘乾程序形 成导电金属膜。 4.依申请专利范围第1项所述电子元件热传导之方 法,其中之导电金属膜可依所需制作形成多数呈导 电线路状之导电金属线膜者。 5.依申请专利范围第1项所述电子元件热传导之方 法,其中该导电金属膜系可采贴合方式贴合于高传 导金属材料表面之氧化绝缘介质层上。 6.依申请专利范围第1项所述电子元件热传导之方 法,其中可以弯折呈ㄈ型导电金属直接扣组于高传 导金属材料上,并藉ㄈ型导电金属所设之定位钩扣 组于高传导金属材料之定位凹孔而达定位者。 7.依申请专利范围第1项所述电子元件热传导之方 法,其中该导电金属膜亦可采涂布或印刷方式制作 于高传导金属材料表面者。 8.依申请专利范围第1项所述电子元件热传导之方 法,其中于高传导金属材料表面可依所需制作部份 或全面氧化绝缘介质层者。 图式简单说明: 第一图系本发明方法试举一运用于LED照明装置时 之较佳实施例剖示图。 第二图系本发明方法试举一运用于LED照明装置时 之较佳实施例立体图。 第三图系本发明方法之电解氧化处理及电镀导电 金属线膜之制作之流程图。 第四图系本发明方法将高传导类金属材料经电解 氧化处理使其表面具较大面积氧化绝缘介质层之 实施例剖示图。 第五图系第二图所示之导电金属膜以黏贴方式贴 合于高传导金属材料上之实施例立体分解图。 第六图系第二图所示之导电金属膜以另一弯折呈 ㄈ型导电金属直接扣组于高传导金属材料上之实 施例立体分解图。 第七图系本发明方法运用于IC积体电路时之实施 例立体分解图。 |
