| 摘要 |
本发明系一种积体电路，其特征在于，具备：具有包含第一导电型杂质之井区域的半导体基板；及形成于井区域且于闸极电极之下具有通道区域的增强型MOS电晶体及复数个空乏型MOS电晶体；至少一个空乏型MOS电晶体，于通道区域具有用来调整阈值电压而植入第二导电型杂质的植入区域；植入区域具有第一导电型杂质及第二导电型杂质；第二导电型杂质之浓度为比第一导电型杂质之浓度高。本发明系提供具有增强型及空乏型两者之MOS电晶体的积体电路、具备积体电路之固态摄影装置、以及该等之制造方法，在阈值电压、调变度之不均较小且调变度较大之第二导电型电晶体中，具有不同阈值电压。 |
