| 摘要 |
本发明提供一种用于处理在半导体制造程序中产生的废气的装置，该装置包括：用于供应废气的废气流入口(2)；与废气流入口(2)连接之用于提供空气的空气注入口(32)；与废气流入口(2)连接并且具有吸附层之用于吸附经由废气流入口(2)供应的废气的吸附部(4)；与吸附部(4)连接并且具有催化剂层(18)之用于催化处理由吸附部(4)排出的废气的催化部(6)；以及与流入到催化部(6)的废气的流动路径连接并且用于提供水的水注入口(26)。根据本发明，可以在800℃或以下去除从半导体制造程序或LCD制造程序中产生的废气中所包含的难分解性全氟化物，可以根据催化剂的填充量处理含有大量以及/或者高浓度的全氟化物的废气。 |
