发明名称 半导体记忆元件
摘要 一种半导体记忆元件,其中包含:一记忆库,其包括复数个胞方块;第一群地区性输入/输出线,依据第一资料输出模式转移资料储存于第一群胞方块上;第二群地区性输入/输出线,依据第二资料输出模式转移资料储存于第二群胞方块上;预充电第一群地区性输入/输出线之第一预充电单元;预充电第二群地区性输入/输出线之第二预充电单元;一预充电讯号产生器,用以预充电第一资料输出模式之第一与第二群胞方块以及第二资料输出模式之第二群胞方块。
申请公布号 TW200729224 申请公布日期 2007.08.01
申请号 TW095134776 申请日期 2006.09.20
申请人 海力士半导体股份有限公司 发明人 河成周;赵浩烨
分类号 G11C5/02(2006.01);G11C7/12(2006.01) 主分类号 G11C5/02(2006.01)
代理机构 代理人 何金涂;林荣琳
主权项
地址 韩国