一种氮化一金属氧化物半导体元件之介电质与基材间介面之方法

摘要

一种金属氧化物半导体场效电晶体(MOSFET)之制程，其系包含氮化此介电质/矽介面以取代矽断键与氮原子连结而产生强度大于矽氢键之矽氮键。一穿隧介电层系形成于基材之上。一氮化层再形成于该穿隧介电层之上。而后该氮化层之顶部转变为一氧化物，且该基底与该穿隧介电层之介面同时地产生氮化。