发明名称 具三维积层构造之积体电路装置之制造方法
摘要 提供一种具三维积层构造之积体电路装置之制造方法,能确实将电气绝缘性之黏着剂配置在半导体电路层间的间隙,无需去除该间隙溢出之多余黏着剂。系将复数个埋设配线(导电性插塞)15形成于第1半导体电路层1a的内部,使其等之端部外露于第1半导体电路层1a的背面。在第2半导体电路层2的表面,形成与各插塞15对应之复数个凸块电极43a。在第2半导体电路层2的表面,以不与凸块电极43a重叠之形状,形成图案化之电气绝缘性黏着剂膜44a。之后,使第1半导体电路层1a的背面与第2半导体电路层2的表面对向且彼此接近,边使位在其间之黏着剂膜44a变形,边使各凸块电极43a的至少一部分因受压而溃散,藉此,使埋设配线15与凸块电极43a彼此形成机械连接彼此形成机械连接,且藉黏着剂膜44a而黏着两电路层1a与2。
申请公布号 TW200729367 申请公布日期 2007.08.01
申请号 TW095133066 申请日期 2006.09.07
申请人 小柳光正 发明人 小柳光正
分类号 H01L21/60(2006.01);H01L21/3205(2006.01);H01L23/52(2006.01);H01L25/10(2006.01) 主分类号 H01L21/60(2006.01)
代理机构 代理人 桂齐恒;阎启泰
主权项
地址 日本