发明名称 半导体装置之制造方法
摘要 本发明有关一种半导体装置之制造方法,包含将形成有铝膜之半导体基板供给于使铝膜露出之加工,并进行除去残留在露出之铝膜表面上之加工残留物之表面处理。表面处理包含用含有阴离子成分之第1药液处理露出之铭膜,然后用硷性之第2药液进行处理。
申请公布号 TW200729346 申请公布日期 2007.08.01
申请号 TW095139021 申请日期 2006.10.23
申请人 东芝股份有限公司 发明人 鱼住宜弘;平山孝司;钉田明
分类号 H01L21/321(2006.01);H01L21/3213(2006.01) 主分类号 H01L21/321(2006.01)
代理机构 代理人 陈长文
主权项
地址 日本