磊晶晶圆及制造磊晶晶圆之方法

摘要

一种制造磊晶晶圆之方法，其系包含使用经添加氮及碳之矽单晶基板作为基材，该矽单晶之氮浓度为5×1014~5×1015原子/立方公分及碳浓度为1×1016~1×1018原子/立方公分，其在制造矽单晶过程中具有基材整个表面变成OSF区之晶体生长条件，且在晶体生长过程中在1100至1000℃以不小于4℃/分钟的冷却速度下提拉；以及以磊晶方法在基材表面上沉积矽单晶层。