| 摘要 |
本发明系关于一种制造半导体材料单晶的设备和方法，该设备系包含一反应室(chamber)以及一设置于该反应室内被坩埚加热器(crucible heater)包围之坩埚(crucible)、一用于屏蔽生长中之单晶的辐射罩(radiation shield)，以及一设于该坩埚加热器与该反应室内壁之间之隔热材料(thermal insulation)。该设备的特征在于，其系包含使用一可密封该内壁与该隔热材料间之缝隙、并且形成气态铁羰基化物(gaseous iron carbonyl)向该单晶移动之障碍之弹性密封材料。本发明亦关于一种使用一装置以制造半导体材料单晶之方法、其所制造之单晶、以及由该单晶切下之半导体晶圆。该单晶及该半导体晶圆之特征在于具有一边缘区域，该边缘区域系从圆周向该单晶或该半导体晶圆内径向延伸至最多R-5毫米的距离且具有一铁浓度，其中该边缘区域之铁浓度系小于1*109原子数/立方公分(atoms/cm3)。 |
