第IIIA族金属氮化物结晶之制造方法、半导体元件之制造方法及用于该等制造方法之溶液与熔液PRODUCTION PROCESS OF GROUP 13 METAL NITRIDE CRYSTAL, PRODUCTION METHOD OF SEMICONDUCTOR DEVICE, AND SOLUTION AND MELT FOR USE IN THESE PRODUCTION PROCESS AND METHOD

摘要

本发明为一种第IIIA族金属氮化物结晶之制造方法，其特征在于具有如下步骤：在将含有周期表第IIIA族金属元素及周期表第IIIA族以外金属元素之复合氮化物溶解于离子性溶剂后所得之溶液或熔液中，进行第IIIA族金属氮化物结晶之成长。根据本制造方法，可于低压或常压下，以廉价之工业化方法制造品质优良之第IIIA族金属氮化物结晶。