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经营范围
发明名称
半导体记忆装置
摘要
一种半导体记忆装置,包含:共享式感测放大器部;一对记忆单元部分,设置于该共享式感测放大器部的对向侧上;一对传输闸极,设置于该共享式感测放大器部的对向侧上并介于该对记忆单元部分与该共享式感测放大器部之间;及位元线,构成复数对位元线对,并使该对记忆单元部经过该对传输闸极及该共享式感测放大器部而彼此相连接。在该复数对位元线对之一位元线对中的位元线,系在该对向侧上之该对传输闸极之间的实质处扭转。
申请公布号
TW200729458
申请公布日期
2007.08.01
申请号
TW095140151
申请日期
2006.10.31
申请人
尔必达存储器股份有限公司
发明人
延时知子;太田贤
分类号
H01L27/108(2006.01);H01L27/10(2006.01);G11C11/34(2006.01)
主分类号
H01L27/108(2006.01)
代理机构
代理人
周良谋;周良吉
主权项
地址
日本
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