发明名称 浅沟渠隔离结构之沟渠角缘圆化方法
摘要 本发明提供一种浅沟渠隔离结构之沟渠角缘圆化方法,此方法首先于一矽基材上形成一沟渠;接着,以纯氢气对沟渠表面进行退火;最后,氧化已退火之沟渠表面,以形成一衬底氧化层。
申请公布号 TW200729392 申请公布日期 2007.08.01
申请号 TW095102672 申请日期 2006.01.24
申请人 应用材料股份有限公司 发明人 杨学修
分类号 H01L21/76(2006.01);H01L21/30(2006.01) 主分类号 H01L21/76(2006.01)
代理机构 代理人 蔡坤财
主权项
地址 美国
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