发明名称 半导体装置及其制造方法
摘要 一种半导体装置,该装置能够防止电极接头与一晶粒衬垫之间的接触,并且能够确实实行将线路结合到该等电极接头。形成一被动组件,以致于使各个电极接头之垂直高度高于一元件部分的高度。更具体而言,该等电极接头之各个横剖面面积系稍微大于元件部分的横剖面面积。所以,各个电极接头之一上方部分与下方部分系稍微高于元件部分(自该元件部分突出)。被动组件系透过一黏着剂加以固定,以致于使该元件部分位于高位置部分上,以便使其几乎与一基板表面平行。此外,各电极接头之一部分(底部部分)系位于各个凹陷部分中的空间中。因此,在各个电极接头以及晶粒衬垫之间系形成一预定的空间。
申请公布号 TW200729449 申请公布日期 2007.08.01
申请号 TW095112825 申请日期 2006.04.11
申请人 富士通股份有限公司 发明人 西村隆雄;平冈哲也
分类号 H01L23/50(2006.01);H01L25/00(2006.01) 主分类号 H01L23/50(2006.01)
代理机构 代理人 恽轶群;陈文郎
主权项
地址 日本
您可能感兴趣的专利