发明名称 微波电浆基板处理装置
摘要 一种基板处理装置,包含:处理容器,界定进行电浆处理之处理空间;基板支持台,配置于该处理空间内以支持被处理基板;排气通路,于该处理容器与该基板支持台之间,围绕该基板支持台而形成;排气系统,连接于该处理容器,透过该排气通路以进行该处理空间之排气;处理气体供应系统,将处理气体导入该处理空间;微波窗,由电介质材料形成,面对该支持台上之被处理基板而配置,实质上平行于该被处理基板而延伸以构成该处理容器外壁之一部分;及微波天线,连接于该微波窗;其特征为:该处理空间之至少一部分系以绝缘层覆盖的。
申请公布号 TWI284939 申请公布日期 2007.08.01
申请号 TW091124011 申请日期 2002.10.17
申请人 东京威力科创股份有限公司 发明人 尾崎 成则;汤浅 珠树
分类号 H01L21/311(2006.01);H01L21/3065(2006.01) 主分类号 H01L21/311(2006.01)
代理机构 代理人 周良谋 新竹市东大路1段118号10楼
主权项 1.一种微波电浆基板处理装置,包含: 处理容器,界定进行电浆处理之处理空间; 基板支持台,配置于该处理空间内,用以支持被处 理基板; 排气通路,形成于该处理容器与该基板支持台之间 ; 排气系统,连接于该处理容器,透过该排气通路以 进行该处理空间之排气; 处理气体供应系统,将处理气体导入该处理空间; 微波天线,连接于该处理容器;及 其特征为: 该处理容器系由石英玻璃制成的,于面对该被处理 基板的部分,构成实质上平行于该被处理基板的微 波窗,该微波天线连接于该微波窗。 2.如申请专利范围第1项之微波电浆基板处理装置, 其中,于该排气通路上配置整流板,该整流板系以 氟化铝或SiO2层所覆盖的。 3.如申请专利范围第2项之微波电浆基板处理装置, 其中,该基板支持台系被形成为可于进行被处理基 板的处理之处理位置与进行被处理基板的搬入或 搬出之搬入或搬出位置之间自由上下升降,在该处 理位置,与该处理容器及该整流板共同界定该处理 空间。 4.一种微波电浆基板处理装置,包含: 基板支持台,用以支持被处理基板; 第1处理容器,围绕该基板支持台而形成; 第2处理容器,形成于该第1处理容器上,与该基板支 持台及该第1处理容器共同界定进行电浆处理之处 理空间; 排气通路,形成于该基板支持台与该第1处理容器 之间; 排气系统,连接于该第1处理容器,透过该排气通路 以进行该处理空间之排气; 处理气体供应系统,将处理气体导入该处理空间; 及 微波天线,连接该第2处理容器;且 其特征为: 该第2处理容器系由石英玻璃制成的,于面对该被 处理基板的部分,构成实质上平行于该被处理基板 的微波窗,该微波天线系连接于该微波窗。 5.如申请专利范围第4项之微波电浆基板处理装置, 其中,该第1处理容器的内壁表面系由石英玻璃制 成的内衬层所覆盖。 6.如申请专利范围第4项之微波电浆基板处理装置, 其中,该第1处理容器的内壁表面系以SiO2层或氟化 铝层予以覆盖。 7.如申请专利范围第4项之微波电浆基板处理装置, 其中,于该第1处理容器形成有被处理基板之搬入 或搬出口,该搬入或搬出口设有以氟化铝层或SiO2 层所覆盖的可动式挡门。 8.如申请专利范围第4项之微波电浆基板处理装置, 其中,该第2处理容器系由如下部份所构成:侧壁部 分,对应于该第1处理容器的;及顶部,连接在该侧壁 部分而形成,对应于该微波窗。 图式简单说明: 图1系显示习知微波电浆基板处理装置之构造的图 形。 图2系显示习知微波电浆基板处理装置之课题的图 形。 图3系显示根据本发明第1实施态样之微波电浆基 板处理装置构造的图形。 图4系显示图3之微波电浆基板处理装置之效果的 图形。 图5系显示根据本发明第2实施例之微波电浆基板 处理装置构造的图形。 图6系显示图5之微波电浆基板处理装置之一变形 例的图形。 图7系显示根据本发明第3实施例之微波电浆基板 处理装置构造的图形。
地址 日本