| 主权项 |
1.一种用来移除表面沉积物的方法,该方法包含: (a)在远室中活化一种含氧、氟化碳及氮源之气体 混合物,其中氧及氟化碳之莫耳比率为至少1:3,其 系使用足够的动力一段足够时间,使得该气体混合 物达到至少约3,000 K的中和温度,以形成经活化之 气体混合物;及之后 (b)将该经活化之气体混合物与表面沉积物接触,并 且因此移除至少一些该表面沉积物。 2.如请求项1的方法,其中该表面沉积物是从用来制 造电子装置之沉积室的内面移除。 3.如请求项1的方法,其中该动力是由RF源、DC源或 微波源所产生。 4.如请求项1的方法,其中该氮源是氮气、NF3或氧化 氮。 5.如请求项1的方法,其中该氟化碳是过氟化碳化合 物。 6.如请求项5的方法,其中该过氟化碳化合物是选自 由四氟甲烷、六氟乙烷、八氟丙烷、八氟环丁烷 、羰基氟、过氟四氢 喃所组成之族群。 7.如请求项1的方法,其中该气体混合物进一步包含 载体气体。 8.如请求项7的方法,其中该载体气体是至少一种气 体选自由氩及氦所组成之气体族群。 9.如请求项1的方法,其中该远室中的压力是在0.01 托(torr)及20托之间。 10.如请求项1的方法,其中该表面沉积物是选自由 矽、经掺杂的矽、氮化矽、钨、二氧化矽、氮氧 化矽、碳化矽及被称为低K材料之各种矽氧化合物 所组成之族群。 11.如请求项1的方法,其中氧及氟化碳之莫耳比率 为至少从约2:1至约20:1。 12.一种移除表面沉积物的方法,该表面沉积物是选 自由矽、经掺杂的矽、钨、二氧化矽、碳化矽及 被称为低K材料之各种矽氧化合物所组成之族群, 该方法包含: (a)在远室中活化一种含氧、氟化碳及氮源之气体 混合物,其中氧及氟化碳之莫耳比率为至少1:3;及 之后 (b)将该经活化之气体混合物与该表面沉积物接触, 并且因此移除至少一些该表面沉积物。 13.如请求项12的方法,其中该表面沉积物是从用来 制造电子装置之沉积室的内面移除。 14.如请求项12的方法,其中该氮源是氮气、NF3或氧 化氮。 15.如请求项12的方法,其中该氟化碳是过氟化碳化 合物。 16.一种用来移除表面沉积物的方法,该方法包含: (a)在远室中活化一种含氮源之前处理气体混合物; 及之后 (b)将该经活化之前处理气体混合物与从远室到表 面沉积物之通道的至少一部份内面接触; (c)在远室中活化一种含氧及氟化碳之清洁气体混 合物,其中氧及氟化碳之莫耳比率为至少1:3;及之 后 (d)将该经活化之清洁气体混合物通过该通道; (e)将该经活化之清洁气体混合物与表面沉积物接 触,并且因此移除至少一些该表面沉积物。 图式简单说明: 图1用于进行本制程之装置的流程图。 图2 N2添加之效应对每分钟125标准毫升Zyron 8020 在(a)蚀刻速率及(b)动力消耗的作图。 图3 N2添加之效应对每分钟250标准毫升Zyron 8020 在(a)蚀刻速率及(b)动力消耗的作图。 图4 N2添加之效应对每分钟250标准毫升Zyron 8020 在COF2释出的作图,以FTIR测量。 图5 N2添加之效应对每分钟250标准毫升Zyron 8020 在不同废气释出的作图,以FTIR测量。 图6有间歇性N2添加之蚀刻速率改变的作图。 图7a N2前处理对不同废气释出之效应的作图,以FTIR 测量。 图7b N2前处理在Zyron 8020蚀刻速率之效应的作图 。 |
