| 主权项 |
1.一种矽单晶晶圆处理装置,系具备有:处理容器, 和配设于反应容器内,且于其上面载置矽单晶晶圆 的承受器;和可对该承受器进行升降动作地设置, 并且在将矽单晶晶圆从下面侧支撑的状态下,随着 上述升降动作而将矽单晶晶圆装卸于承受器上之 起模针,其特征为: 上述起模针系在其与矽单晶晶圆的主背面之接触 端面,于其上形成成为凸状之曲面形状之SiC的同时 ,于该接触面相互摩擦研磨。 2.如申请专利范围第1项之矽单晶晶圆处理装置,其 中 前述起模针之前述接触端面乃使用SiC之砥石,施以 相互摩擦研摩。 3.如申请专利范围第1项所记载之矽单晶晶圆处理 装置,其中,上述起模针之上述接触端面的表面粗 糙度系为0.8m以下。 4.一种矽单晶晶圆处理装置,系具备有:处理容器; 和配设于反应容器内,且于其上面载置矽单晶晶圆 的承受器;和可对该承受器进行升降动作地设置, 并且在将矽单晶晶圆从下面侧支撑的状态下,随着 上述升降动作而将矽单晶晶圆装脱于承受器上之 起模针,其特征为: 可在该起模针进行升降动作之时予以滑动引导之 筒状构件,系在由支撑上述承受器用之承受器支撑 构件突出的状态下,固定支撑于该承受器支撑构件 ,使上述起模针与矽单晶晶圆主背面的接触端面在 对于该矽单晶晶圆的主背面大致平行状态下接触 。 5.如申请专利范围第4项之矽单晶晶圆处理装置,其 中,上述起模针系在其与上述滑动面上施加研磨。 6.一种矽磊晶晶圆之制造方法,其特征为依序进行: 至少将矽单晶晶圆的主背面施加镜面加工之第一 镜面加工步骤;在矽单晶晶圆的主背面形成矽氧化 膜之矽氧化膜形成步骤;将矽单晶晶圆的主背面施 加镜面加工之第二镜面加工步骤;及使用具有可将 矽单晶晶圆装脱于承受器上之起模针的汽相生长 装置,而在矽单晶晶圆的主表面以汽相生长矽磊晶 层之步骤。 图式简单说明: 第1图是显示本发明处理装置的一例之汽相生长装 置的剖视图。 第2图是显示第1图中汽相生长装置的起模针为上 升状态之图。 第3图是显示起模针与矽单晶晶圆接触的端面附近 之放大图。 第4图是显示藉由起模针支撑矽单晶晶圆的部位之 平面图。 第5图是显示起模针的下端部与支撑该下端部并使 起模针上升的构件之重要部位放大图。 第6图是显示起模针与矽单晶晶圆接触的端面附近 之放大图。 第7图是显示引导起膜针的筒状构件之重要部位放 大图。 第8图是显示于主背面形成矽氧化膜之矽单晶晶圆 的侧面膜。 |
