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1.一种用于化学机械研磨(CMP)装置的操作参数( recipe)自动回馈方法,其步骤包括: (1)将该CMP装置中相关消耗性零件生命周期( consumable parts lifetime)下载(download)至资料库中,该资 料库包含第一参照表和第二参照表; (2)利用该资料库中之该第一参照表,查出于该CMP装 置中该相关消耗性零件生命周期所对应的晶圆厚 度轮廓(thickness profile)値; (3)利用该晶圆厚度轮廓値以及该资料库中之该第 二参照表,查出最佳的CMP装置的操作参数;以及 (4)将该最佳操作参数上传(upload)至该CMP装置中。 2.如申请专利范围第1项之方法,其中该消耗性零件 为研磨垫(pad)。 3.如申请专利范围第1项之方法,其中该消耗性零件 为研磨垫平整器(pad conditioner)。 4.如申请专利范围第1项之方法,其中该消耗性零件 为研磨头(head)。 5.如申请专利范围第1项之方法,其中该第一参照表 为不同的消耗性零件生命周期时,研磨速率(polish rate)对应晶圆研磨位置之晶圆厚度轮廓値变化关 系表。 6.如申请专利范围第1项之方法,其中该第二参照表 为不同操作参数下,研磨速率对应晶圆研磨位置之 晶圆厚度轮廓値变化关系表。 7.如申请专利范围第1项之方法,其中该操作参数包 括:研磨率(RR, removal rate)、操作压力(pressure)、研 磨头及研磨垫转速、操作温度。 8.如申请专利范围第1项之方法,进一步包括步骤(5) ,将研磨厚度轮廓値结果回存到该资料库之该第一 与第二参照表内,作为以后比对之用。 9.一种化学机械研磨(CMP)操作参数自动回馈控制系 统,包括: 一化学机械研磨(CMP)装置; 一资料库,其中储存第一参照表和第二参照表;以 及 一自动回馈机制,当晶圆进入该CMP装置时,自动下 载该装置内的相关消耗性零件生命周期,和该资料 库内的该两个参照表比对,并将比对出的最佳操作 参数上传回该CMP装置。 10.如申请专利范围第9项之系统,其中该消耗性零 件为研磨垫。 11.如申请专利范围第9项之系统,其中该消耗性零 件为研磨垫平整器。 12.如申请专利范围第9项之系统,其中该消耗性零 件为研磨头。 13.如申请专利范围第9项之系统,其中该第一参照 表为不同的消耗性零件生命周期时,研磨速率对应 晶圆研磨位置之晶圆厚度轮廓値变化关系表。 14.如申请专利范围第9项之系统,其中该第二参照 表为不同操作参数下,研磨速率对应晶圆研磨位置 之晶圆厚度轮廓値变化关系表。 15.如申请专利范围第9项之系统,其中该操作参数 包括:研磨率、操作压力、研磨头及研磨垫转速、 操作温度。 图式简单说明: 第1图是习知技术CMP装置示意图。 第2图是研磨垫(pad)初期/中期/末期和晶圆边缘轮 廓値变化图。 第3图是不同消耗性零件生命周期时研磨速率和晶 圆研磨位置之晶圆轮廓値关系图。 第4图是不同操作参数时研磨速率和晶圆研磨位置 之晶圆轮廓値关系图。 第5图是本发明之CMP装置和自动回馈系统图。 第6图是本发明之流程图。 |
