| 主权项 |
1.一种蚀刻包括一镍铬合金在内的电性电阻材料 的蚀刻溶液,该溶液包含: 盐酸,该盐酸为5容积百分比至95容积百分比的范围 内; 甘油,该甘油为5容积百分比至95容积百分比的范围 内;及 硫,该硫为1ppm至20 ppm的范围内。 2.如申请专利范围第1项之蚀刻溶液,其中该盐酸的 体积约为43%。 3.如申请专利范围第1项之蚀刻溶液,其中该硫为 1 ppm至2 ppm。 4.如申请专利范围第1项之蚀刻溶液,其中该甘油的 体积约为46%。 5.如申请专利范围第1项之蚀刻溶液,其中该溶液进 一步包含水。 6.如申请专利范围第5项之蚀刻溶液,其中该水含量 系使溶液体积总达到100%。 7.如申请专利范围第1项之蚀刻溶液,其中该溶液的 温度在室温到大约该溶液的沸点范围之内。 8.如申请专利范围第7项之蚀刻溶液,其中该溶液的 温度在120℉至180℉的范围内。 9.如申请专利范围第8项之蚀刻溶液,其中该溶液的 温度在140℉至150℉的范围内。 10.一种用于包含一铜层和一电阻层的一电阻箔形 成一嵌入式电阻器的方法,其中该电阻箔系黏接于 一介电层,该方法包含: 使用一铜蚀刻剂选择性地移除部分该铜层,以形成 痕迹线;及 使用由盐酸,甘油和硫构成的一蚀刻剂选择性地 蚀刻该电阻层,其中该盐酸为5容积百分比至95容积 百分比的范围内,该甘油为5容积百分比到95容积百 分比的范围内及该硫为1 ppm到20 ppm的范围内。 11.如申请专利范围第10项之方法,其中一光阻涂敷 于该铜层上,以界定该等痕迹线。 12.如申请专利范围第11项之方法,其中在选择性蚀 刻该电阻层前,未移除该光阻。 13.如申请专利范围第11项之方法,其中该光阻未在 该电阻层的选择性蚀刻前移除。 14.如申请专利范围第10项之方法,其中该盐酸的体 积约为43%。 15.如申请专利范围第10项之方法,其中该硫为1 ppm至2 ppm的范围内。 16.如申请专利范围第10项之方法,其中该甘油的体 积约为46%。 17.如申请专利范围第10项之方法,其中该溶液进一 步包含水。 18.如申请专利范围第17项之方法,其中该水含量系 使溶液体积总达到100%。 19.如申请专利范围第10项之方法,其中该溶液的温 度在室温到大约该溶液的沸点范围之内。 20.如申请专利范围第19项之方法,其中该溶液的温 度在120℉至180℉的范围内。 21.如申请专利范围第20项之方法,其中该溶液的温 度在140℉至150℉的范围内。 图式简单说明: 图1系由包含一黏接于介电层之电阻箔构成的积层 板的断面图; 图2系图1显示的积层板在蚀刻掉电阻箔的部分铜 层后的断面图;及 图3系图2显示的积层板在蚀刻掉电阻箔的部分电 阻层后的断面图。 |
