半导体单元、存储单元和存储单元阵列及其形成方法

摘要

一种相变存储单元的制造方法，在此存储单元中的一个相变存储元件的截面积可由下电极的第一尺寸及蚀刻工艺所控制的第二尺寸来控制。接触窗的面积为第一尺寸和第二尺寸之积。此方法可以制造非常小的相变存储单元。

主权项

1.一种存储单元的制造方法，其特征是包括：在基板上形成下电极，该下电极具有第一尺寸；在该下电极上覆盖绝缘材料；移除部分该绝缘材料，以使部分该下电极裸露出来，其裸露出来的部分具有第二尺寸；以及在该下电极裸露出来的部分的周围沉积相变材料层，以在该相变材料层和该下电极之间形成接触窗，该接触窗的面积等于该第一尺寸和该第二尺寸之积。