| 发明名称 | 射频可变电容器的结构及其制造方法 | ||
| 摘要 | 本发明涉及一种使用CMOS工艺用以提高品质因数的射频(RF)可变电容器的结构以及制造这种射频可变电容器的方法。该RF可变电容器的电容可变范围在第一最小值和第一最大值之间，其结构包括第一电容器，该第一电容器的电容可变范围在大于第一最小值的第二最小值和大于第一最大值的第二最大值之间，还包括第二电容器，该第二电容器串联连接到第一电容器上，并具有固定值的电容。 | ||
| 申请公布号 | CN1330002C | 申请公布日期 | 2007.08.01 |
| 申请号 | CN200310124889.6 | 申请日期 | 2003.11.06 |
| 申请人 | 三星电子株式会社 | 发明人 | 钱相润;徐春德 |
| 分类号 | H01L29/94(2006.01);H01L29/00(2006.01);H01G5/00(2006.01) | 主分类号 | H01L29/94(2006.01) |
| 代理机构 | 北京市柳沈律师事务所 | 代理人 | 马莹;邵亚丽 |
| 主权项 | 1.一种射频(RF)可变电容器的结构，该射频可变电容器的电容可变范围在第一最小值和第一最大值之间，该结构包括：第一电容器，其具有可变的电容范围；和第二电容器，其串联连接到第一电容器上，并具有固定值的电容，并且所述第二电容器的电容根据所述第一电容器的品质因数以及所述第一电容器的可变电容范围来确定。 | ||
| 地址 | 韩国京畿道 | ||