发明名称 制造高密度的半成品或元件的方法
摘要 本发明涉及一种由平均相对密度>98.5%、相对芯部密度>98.3%的钼、钼合金、钨或钨合金材料制造半成品或元件的方法。该方法包括烧结到相对密度D为90%<D<98.5%,且闭孔相对于总孔隙度的比例>0.8,并在0.40到0.65×固相线温度的温度下和50到300MPa的压力下进行热等静压制。用这种方法制造的元件例如被用作电极,其具有许多改良的使用寿命特性。
申请公布号 CN101007350A 申请公布日期 2007.08.01
申请号 CN200610167574.3 申请日期 2006.12.22
申请人 普兰西金属有限公司 发明人 W·施皮尔曼;G·莱希特弗里德
分类号 B22F3/16(2006.01);H01J9/02(2006.01) 主分类号 B22F3/16(2006.01)
代理机构 北京市金杜律师事务所 代理人 徐雁漪
主权项 1.一种由平均相对密度>98.5%、相对芯部密度>98.3%的钼、钼合金、钨或钨合金材料制造半成品或元件的方法,其特征在于,该方法包含至少以下步骤:·制备Fisher粒径为0.5到10μm的粉末;·在100到500MPa的压力下压制该粉末;·在0.55到0.92×固相线温度的温度下烧结到相对密度为D,其中90%<D<98.5%;·在0.40到0.65×固相线温度的温度下和50到300MPa的压力下,不使用罐的情况下进行热等静压制;·以成型率成形,其中15%<<90%。
地址 奥地利乐特市