| 发明名称 | AlGaN的气相生长方法及气相生长装置 | ||
| 摘要 | 本发明提供了一种HVPE法的在蓝宝石基板上或Si基板上，能够使所希望组成比率x的Al<SUB>x</SUB>Ga<SUB>1－x</SUB>N的晶体生长的外延生长方法。通过使用铝原料、镓原料、氨原料和载气的HVPE法使Al<SUB>x</SUB>Ga<SUB>1－x</SUB>N晶体生长。这时，载气由惰性气体和氢构成，把该氢分压置于0以上至不到0.1的范围。其结果，能使原料的供给比率和生长的晶体的组成比率之间的关系成线性关系，从而提高晶体组成的控制性。 | ||
| 申请公布号 | CN101010782A | 申请公布日期 | 2007.08.01 |
| 申请号 | CN200580029243.7 | 申请日期 | 2005.08.26 |
| 申请人 | 农工大TLO株式会社（日本东京） | 发明人 | 纐缬明伯;熊谷义直 |
| 分类号 | H01L21/205(2006.01);C23C16/34(2006.01) | 主分类号 | H01L21/205(2006.01) |
| 代理机构 | 中国专利代理(香港)有限公司 | 代理人 | 孙秀武;李平英 |
| 主权项 | 1.一种AlGaN晶体的气相生长方法，它是把基板晶体配置在铝原料、镓原料、氮原料、和载气混合而成的气体中，使AlGaN在上述基板晶体上进行晶体生长的方法，其中把上述载气中的氢分压设定为0atm。 | ||
| 地址 | 日本东京都 | ||