METHOD OF FORMING STRAINED SI/SIGE ON INSULATOR WITH SILICON GERMANIUM BUFFER,申请号EP20050713741-传众专利搜索

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法人/股东/高管

发明名称	METHOD OF FORMING STRAINED SI/SIGE ON INSULATOR WITH SILICON GERMANIUM BUFFER
摘要
申请公布号	EP1779422(A4)	申请公布日期	2007.08.01
申请号	EP20050713741	申请日期	2005.02.16
申请人	INTERNATIONAL BUSINESS MACHINES CORPORATION	发明人	CHEN, HUAJIE;BEDELL, STEPHEN, W.
分类号	H01L21/76;H01L21/205;H01L21/762	主分类号	H01L21/76
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