发明名称 |
在非易失性存储器中存储数据的方法 |
摘要 |
一种在非易失性铁电随机存取存储器中存储数据的方法,其中对存储器位置的破坏性读取操作之后进行重写操作,数据的完全相同的副本存储在不同的存储位置,该位置不具有任何公共字线或者不具有公共字线和公共位线。整体读取一个第一字线或一个第一字线的段,所述字线或所述段包含数据的完全相同的副本中的至少一个第一副本。从而将读取的数据重写入存储位置,另外从涉及的存储位置将数据传送到一个合适的缓冲位置,随后以字线或字线的段的形式连续读取存储位置,并将数据重写入缓冲位置。重复该操作直到将所有数据的相同副本传送到缓冲存储中。随后通过在存储控制逻辑电路中比较相同的副本来检测位错误,该控制逻辑电路也可以用于缓冲读出的数据副本或可选择地连接一个独立的缓冲存储器。当后者的位错误被检测出时,将纠正的数据写回能够保存位错误的适当的存储位置。 |
申请公布号 |
CN1329830C |
申请公布日期 |
2007.08.01 |
申请号 |
CN03808447.3 |
申请日期 |
2003.04.10 |
申请人 |
薄膜电子有限公司 |
发明人 |
L·S·托尔于森;C·卡尔松 |
分类号 |
G06F11/16(2006.01);G06F12/16(2006.01) |
主分类号 |
G06F11/16(2006.01) |
代理机构 |
中国专利代理(香港)有限公司 |
代理人 |
邹光新;王勇 |
主权项 |
1.一种在非易失性铁电随机存取存储器中存储数据的方法,尤其是在其中的铁电存储器材料是一种铁电聚合物的存储器中,其中提供了作为矩阵单元的存储位置并且通过形成矩阵的字线和位线的电极来对该存储位置进行存取,其中对存储器位置的破坏性读取操作之后进行重写操作,该方法的特征在于以下述连续步骤:(a)将多个所述数据的完全相同的副本存储在多个存储位置中,所述的存储位置不具有任何的公共字线;(b)整体读取第一字线,所述第一字线包含所述数据的完全相同副本的至少一个第一副本,将从所述的第一字线读取的数据重新写回到所述第一字线中,将从所述的第一字线读取的数据传送到一个存储控制逻辑电路;(c)整体读取随后的一个字线,所述随后的字线包含所述数据的完全相同的副本中的至少一个随后副本,将从所述的随后的字线读取的数据重新写回到所述的随后的字线中,将从所述的随后字线读取的数据传送到所述存储控制逻辑电路;(d)重复步骤(c)直到从包含所述数据的所述完全相同副本的副本的所述字线中读取的所述数据被传送到所述的存储控制逻辑电路;(e)在所述的存储控制逻辑电路中,通过逐位比较从包含所述数据的所述多个完全相同副本的副本的所述字线中读取的所述数据,或者通过包含纠错码的所述数据,检测所有位错误;以及(f)当在步骤(e)中检测出位错误时,将纠正的数据写入到所述存储位置的存储单元中,该存储位置能保存位错误。 |
地址 |
挪威奥斯陆 |