| 发明名称 | 氮化镓外延层及其制造方法和包括它的光电器件 | ||
| 摘要 | 本发明涉及一种氮化镓(GaN)外延层的制造方法，其特征在于该方法包括在衬底表面上形成Si<SUB>x</SUB>N<SUB>y</SUB>型介电薄膜；在足以抑制氮化镓小岛形成的温度下，在该介电薄膜上沉积连续的氮化镓层；在足以促进氮化镓小岛形成的温度下，退火该氮化镓层；在氮化镓小岛形成之后，进行氮化镓的外延生长。本发明还涉及能够采用该方法得到的氮化镓层。 | ||
| 申请公布号 | CN1329954C | 申请公布日期 | 2007.08.01 |
| 申请号 | CN200410068332.X | 申请日期 | 1998.10.15 |
| 申请人 | 卢米洛格股份有限公司 | 发明人 | B·比尤蒙特;P·吉巴尔特;J－C·古劳姆;G·纳塔夫;M·维尔;S·哈佛兹 |
| 分类号 | H01L21/20(2006.01);C30B25/02(2006.01);H01L33/00(2006.01);H01S5/00(2006.01) | 主分类号 | H01L21/20(2006.01) |
| 代理机构 | 中国国际贸易促进委员会专利商标事务所 | 代理人 | 王杰 |
| 主权项 | 1、氮化镓外延层的制造方法，包括：在衬底表面上形成SixNy型介电薄膜；在600℃下，在该介电薄膜上沉积连续的氮化镓层；在1080℃下，退火该氮化镓层；在氮化镓小岛形成之后，进行氮化镓的外延生长。 | ||
| 地址 | 法国新堡 | ||